Как найти концентрация электронов проводимости в проводнике

Определите концентрацию электронов проводимости в проводнике с сечением 5 мм^2, если по нему протекает ток в 12 А

Определите концентрацию электронов проводимости в проводнике с сечением 5 мм^2, если по нему протекает ток в 12 А, а скорость упорядоченного движения электронов составляет 0,3 мм/с.

Дано:
(S=5*10^{-6};text{м}^2)
(I=12;A)
(v=0,3*10^{-3};text{м/с})
Найти: n

За время t через сечение проводника пройдет заряд:

Q=It                (1)

Заряд равен сумме зарядов всех электронов, которые пробегут за время 1 с через поперечное сечение проводника:

Q=Ne         (2)

где N — количество электронов, е — заряд одного электрона.

Из (2)    (N=frac{Q}{e})           (3)

С учетом (1)      (N=frac{It}{e})              (4)
Объем, в котором находится это количество электронов N можно выразить, как произведение сечения на длину проводника, в пределах которой находится наше количество электронов N.
Эта длина равна пути, которую проходит электрон с заданной в условии скоростью за время 1 секунда.  Таким образом, объем можно выразить формулой:

(V=SL=Svt)            (5)

Концентрация электронов — это количество электронов в единице объема:

(n=frac{N}{V})              (6)

С учетом (4) и (5)  выражение (6) принимает вид:

(n=frac{frac{It}{e}}{Svt}=frac{I}{eSv})            (7)

Искомая концентрация электронов:

(n=frac{12}{1,6*10^{-19}*5*10^{-6}*0,3*10^{-3}}=5*10^{28};text{электронов/м}^3)

Буду благодарен за отзыв или хотя бы «спасибо» в комментариях, если был вам полезен. Мне важно знать, что это кому-то нужно.

Популярное на сайте:

Как быстро выучить стихотворение наизусть? Запоминание стихов является стандартным заданием во многих школах. 

Как научится читать по диагонали? Скорость чтения зависит от скорости восприятия каждого отдельного слова в тексте. 

Как быстро и эффективно исправить почерк?  Люди часто предполагают, что каллиграфия и почерк являются синонимами, но это не так.

Как научится говорить грамотно и правильно? Общение на хорошем, уверенном и естественном русском языке является достижимой целью. 

Решение.
Эффект Холла — это возникновение поперечной разности потенциалов при пропускании тока через металлическую или полупроводниковую пластинку, помещенную в магнитное поле, таким образом, чтобы вектор индукции магнитного поля был направлен перпендикулярно вектору плотности тока.
Если проводник, по которому течет ток, поместить в магнитное поле, то на заряды движущиеся в магнитном поле действует сила Лоренца, направленная перпендикулярно их движению. Вследствие этого между поверхностями проводника А и В возникает разность потенциалов. Она будет увеличиваться до тех пор, пока не наступит равновесное состояние, при котором сила холловского электрического поля станет равной магнитной силе Лоренца:

[ begin{align}
  & xi =Bcdot upsilon cdot dcdot sin alpha ,sin alpha =1,xi =Bcdot upsilon cdot d,(1),U=Ecdot d(2),,U=xi , \
 & Bcdot upsilon cdot d=Ecdot d,upsilon =frac{E}{B},(3). \
end{align} ]

Средняя скорость направленного движения носителей тока связана с плотностью тока j

[ begin{align}
  & J=frac{I}{S},I=frac{q}{t},q=Ncdot e,t=frac{d}{upsilon },J=frac{Ncdot ecdot upsilon }{dcdot S},V=dcdot S,n=frac{N}{V},J=frac{Ncdot ecdot upsilon }{V}, \
 & J=ncdot ecdot upsilon (4). \
end{align} ]

Где: I – сила возникающего тока, S – площадь сечения, q – переносимый заряд, N – количество электронов, е – модуль заряда электрона, е = 1,6∙10^-19 Кл, n – концентрация электронов.
Определим концентрацию электронов проводимости   

Определим отношение концентрации электронов проводимости к концентрации атомов в проводнике

[  begin{align}
  & {{n}_{a}}=frac{{{N}_{2}}}{V},{{N}_{a}}=frac{m}{M}cdot {{N}_{A}},rho =frac{m}{V},V=frac{m}{rho },{{n}_{a}}=frac{mcdot {{N}_{A}}cdot rho }{Mcdot m},{{n}_{a}}=frac{{{N}_{A}}cdot rho }{M}. \
 & {{n}_{a}}=frac{6,02cdot {{10}^{23}}cdot 970}{23cdot {{10}^{-3}}}=2,5cdot {{10}^{28}}. \
 & frac{n}{{{n}_{a}}}=frac{25cdot {{10}^{29}}}{2,5cdot {{10}^{28}}}=100. \
end{align} ]

  Где: n_а – концентрация атомов, N_а – количество атомов, N_А – число Авогадро, N_А = 6,02∙10²³ моль^-1, ρ – плотность натрия, ρ = 970 кг/м³, М – молярная масса натрия, М = 23∙10^-3 кг/моль.
Ответ: 25∙10²⁹ м^-3, 100.

 на главную   

Официальный сайт АНО ДО Центра «Логос», г.Глазов

http://logos-glz.ucoz.net/

ГОТОВИМСЯ К УРОКУ

Кинематика

Динамика

МКТ

Термодинамика 

Электростатика

Электрический
ток

Электрический
ток в средах

Магнитное поле
Электромагнитная индукция

Оптика

Методы
познания

Электрический ток в различных средах                                                      немного о физике:   

Электрическим током называют всякое  упорядоченное
движение электрических зарядов. Электрический ток может
проходить через различные вещества при определенных
условиях. Одним из условий возникновения электрического тока
является наличие свободных зарядов, способных двигаться под
действием электрического поля.

Поэтому в этом разделе мы попытаемся  установить,
какие частицы, переносят  электрический заряд в
различных средах.

Электрический ток в
металлах.

Металлы состоят из положительно заряженных ионов,
находящихся в узлах кристаллической решетки и совокупности
свободных электронов. Вне электрического поля свободные
электроны движутся хаотически, подобно молекулам идеального
газа, а потому рассматриваются в классической электронной
теории как электронный газ.

Под действием внешнего электрического поля меняется
характер движения свободных электронов внутри металла.
Электроны, продолжая хаотичные движения, вместе с тем
смещаются в направлении действия сил электрического поля.

Следовательно, электрический
ток в металлах — это упорядоченное движение
электронов.

Сила тока в металлическом
проводнике определяется по формуле:

где I — сила тока
в проводнике, e —
модуль заряда электрона,  n₀
— концентрация электронов проводимости, 


— средняя скорость упорядоченного движения электронов,
 S — площадь поперечного
сечения проводника.

Плотность тока проводимости
численно равна заряду, проходящему за 1с через единицу
площади поверхности, перпендикулярной направлению тока.

где j — плотность тока.

У большинства металлов практически каждый атом
ионизирован. А так как концентрация электронов проводимости  одновалентного
металла равна

где

N_a

— постоянная Авогадро, 
A —

атомная масса металла,
ρ
—
плотность металла,

то получаем
что концентрация определяется в пределах 10²⁸ —
10²⁹ м^-3.

Закон Ома для
однородного участка цепи:

где U — напряжение на
участке,  R —
сопротивление участка.

Для однородного участка цепи:

где  ρ_У
— удельное сопротивление проводника,
l — длина проводника, 
S — площадь поперечного сечения проводника.

Удельное сопротивление проводника зависит от температуры
и  эта зависимость выражается соотношением:

ρ_у = ρ_оу
( 1 + α ∆Т )

где
ρ_оу
 —
удельное сопротивление
металлического проводника при температуре Т =273К,
α —
термический коэффициент сопротивления,
∆Т
= Т — Т_о 
— изменение
температуры.

Вольт-амперная характеристика металлов.

Сила тока в  проводниках по закону Ома прямо
пропорциональна напряжению. Такая зависимость имеет место
для проводников со строго заданным сопротивлением (
для резисторов).

Тангенс угла наклона графика равен проводимости
проводника. Проводимостью
называется величина, обратная сопротивлению

где  G —
проводимость.

Но так как сопротивление металлов зависит от температуры,
то вольт-амперная характеристика металлов не является
линейной.

Электрический ток в
растворах и расплавах электролитов.

Явление распада молекул солей, щелочей и кислот в воде на
ионы противоположных знаков называют
электролитической диссоциацией. Полученные в
следствие распада ионы служат носителями заряда в жидкости,
а сама жидкость становятся проводником.

Вне электрического поля ионы движутся хаотически. Под действием внешнего электрического поля
ионы, продолжая хаотичные движения, вместе с тем
смещаются в направлении действия сил электрического поля:
катионы к катоду, анионы — к аноду.

Следовательно, электрический ток
в растворах (расплавах) электролитов — это
направленное перемещение ионов обоих знаков в
противоположных направлениях.

Прохождение электрического тока через раствор электролита
всегда сопровождается выделением на электродах веществ,
входящих в его состав. Это явление называют
электролизом.

При движении внутри электролитов ионы взаимодействуют с
молекулами воды и другими ионами, т.е. электролиты оказывают
некоторое противодействие движению, а, следовательно,
обладают сопротивлением. Электрическое сопротивление
электролитов зависит от концентрации ионов, величины заряда
иона, от скорости движения ионов обоих знаков.

Сопротивление электролитов так же определяется по
формуле:

где  ρ_У
— удельное сопротивление электролита,
l — длина жидкого проводника, 
S — площадь поперечного сечения жидкого проводника.

При увеличении температуры электролита уменьшается его
вязкость, что ведет к увеличению скорости движения ионов.
Т.е. при повышении температуры сопротивление электролита
уменьшается.

Законы Фарадея.

1. Масса вещества, выделяемого
на электроде, прямо пропорциональна электрическому заряду,
прошедшему через электролит.

где m — масса
вещества, выделяющегося на электроде,  k
— электрохимический эквивалент, q
— заряд, прошедший через электролит.

2. Электрохимический эквивалент
вещества прямо пропорционален его химическому эквиваленту.

          

где М— молярная масса вещества,
F- постоянная Фарадея,
z — валентность иона.

постоянная Фарадея
численно равна заряду, который должен пройти через
электролит, чтобы выделить из него массу вещества, численно
равную химическому эквиваленту.

Объединенный закон Фарадея.

                    

Электрический ток в
газах.

При нормальных условиях   газы  состоят 
из  нейтральных молекул, а поэтому являются
диэлектриками. Так как для  получения электрического
тока необходимо наличие заряженных частиц, то молекулы газа
следует ионизировать (оторвать электроны от молекул). Для
ионизации молекул необходимо затратить энергию —
энергию ионизации,
количество которой зависит от рода вещества. Так, энергия
ионизации минимальна для атомов щелочных металлов,
максимальна — для инертных газов.

Ионизировать молекулы можно при нагревании газа, при
облучении его различного рода лучами. Благодаря
дополнительной  энергии  возрастает скорость 
движения  молекул, нарастает интенсивность их теплового
движения  и  при соударении отдельные молекулы
теряют электроны, превращаясь в положительно заряженные
ионы.

Электроны, оторвавшись от молекулы могут присоединятся к
нейтральным молекулам, образуя при этом отрицательно
заряженные ионы.

Следовательно, при ионизации появляются три типа
носителей зарядов: положительные ионы, отрицательные ионы и
электроны.

Под действием внешнего электрического поля ионы обоих
знаков и электроны движутся  в направлении действия сил электрического поля:
положительные ионы  к катоду, отрицательные ионы и
электроны — к аноду. Т.е.
электрический ток в газах — это упорядоченное
движение ионов и электронов под действием электрического
поля.

Вольт- амперная характеристика газов.

Зависимость силы тока от напряжения выражена  кривой
ОАВС.

На  участке графика  ОА сила тока подчиняется
закону Ома. При малом напряжении сила тока мала, т.к. 
ионы двигаясь с малыми скоростями рекомбинируют, не достигая
электродов. При увеличении напряжения  между
электродами скорость направленного движения электронов 
и ионов возрастает, поэтому  большая часть заряженных
частиц достигает  электродов, а, следовательно
возрастает сила тока.

При определенном значении напряжения U₁
все ионы имеют достаточные скорости и, не рекомбинируя,
достигают электродов. Ток становится максимально возможным и
не зависит от дальнейшего увеличения напряжения до значения
U₂. Такой ток называют
током насыщения, и ему
соответствует участок графика АВ.

При напряжении U₂ в
несколько тысяч вольт скорость электронов, возникающих при
ионизации молекул, а следовательно, их кинетическая энергия
значительно увеличиваются. И когда  кинетическая
энергия  достигает значения энергии ионизации,
электроны, сталкиваясь с нейтральными молекулами, ионизируют
их. Дополнительная ионизация  приводит к
лавинообразному увеличению количества заряженных частиц, а
следовательно и к значительному увеличению силы тока без
воздействия внешнего ионизатора. Прохождение электрического
тока без воздействия внешнего ионизатора называют
самостоятельным разрядом. Такая зависимость
выражена участком графика АС.

Электрический ток в
вакууме.

В вакууме отсутствуют заряженные частиц, а следовательно,
он является диэлектриком. Т.е.  необходимо создать
определенные  условия, которые помогут  получить
заряженные частицы.

Свободные электроны есть в металлах. При комнатной
температуре  они не могут покинуть металл, т. к.
удерживаются в нем силами кулоновского притяжения со стороны
положительных ионов. Для преодоления этих сил электрону
необходимо затратить определенную энергию, которая
называется работой выхода.
Энергию, большую или  равную работе выхода, электроны
могут получить при разогреве металла до высоких температур.

 

При нагревании металла  количество электронов с
кинетической энергией, большей работы выхода, увеличивается,
поэтому из металла вылетает большее количество электронов.
Испускание электронов из металлов  при его нагревании
называют термоэлектронной эмиссией.
Для осуществления термоэлектронной эмиссии в качестве оного
из электродов используют тонкую проволочную нить из
тугоплавкого металла (нить накала). Подключенная  к
источнику тока нить раскаляется и с ее поверхности 
вылетают электроны. Вылетевшие электроны попадают в
электрическое поле между двумя электродами и начинают
двигаться направленно, создавая электрический ток.

Явление термоэлектронной эмиссии лежит  в основе
принципа действия электронных ламп:  вакуумного диода,
вакуумного триода.

                 
Вакуумный диод                                           
Вакуумный триод

                                   

Вольт-амперная характеристика
вакуумного диода.

Зависимость силы тока от напряжения выражена  кривой
ОАВСD.

При испускании электронов катод приобретает положительный
заряд и поэтому удерживает возле себя электроны.  При
отсутствии электрического поля между катодом и анодом,
вылетевшие электроны образуют у  катода электронное
облако.

По мере увеличения напряжения между анодом и катодом
большее количество электронов устремляется к аноду, а
следовательно сила тока увеличивается. Эта зависимость
выражена участком графика ОАВ. Участок АВ является
характеризует прямую зависимость  силы тока от
напряжения, т.е. в  интервале напряжений
U₁ — U₂
выполняется закон Ома.

 

Нелинейная зависимость на участке ВСD
объясняется тем, что число электронов, устремляющихся к
аноду, стает больше числа электронов, вылетающих с катода.

При достаточно большом  значении напряжения
U₃ все электроны,
вылетающие с катода, достигают анода, и электрический 
ток достигает насыщения.

Так же в качестве источника заряженных частиц можно
использовать радиоактивный препарат, испускающий
α-частицы.Под действием сил
электрического поля α-частицы
будут двигаться, т.е. возникнет электрический ток.

Таким образом,
электрический ток в вакууме может
быть создан упорядоченным  движением любых заряженных
частиц (электронов, ионов).

Электрический ток в
полупроводниках.

Полупроводники — вещества, удельное сопротивление которых
убывает с увеличением температуры и зависит от наличия
примесей и  изменения освещенности. Удельное
сопротивление проводников при комнатной температуре
находится в интервале от 10^-3 до 10⁷
Ом ·м. 
Типичными представителями полупроводников являются кристаллы
германия и кремния.

В этих кристаллах атомы соединены между собой ковалентной
связью. При нагревании ковалентная связь нарушается, атомы
ионизируются. Это обуславливает  возникновение
свободных электронов и «дырок»- вакантных положительных мест
с недостающим электроном.

При этом электроны соседних атомов могут занимать
вакантные места, образуя «дырку»  в соседнем атоме.
Таким образом не только  электроны, но и «дырки» могут
перемещаться по кристаллу. При помещении такого кристалла в электрическое поле
электроны и дырки придут в упорядоченное движение —
возникнет электрический ток.

Собственная проводимость.

В чистом кристалле электрический  ток создается
равным количеством электронов и «дырок». Проводимость,
обусловленную движением свободных электронов и равного им
количества «дырок» в полупроводниковом кристалле  без
примесей, называют собственной
проводимостью полупроводника.

При повышении  температуры собственная проводимость
полупроводника увеличивается, т.к. увеличивается число
свободных электронов и «дырок».

Примесная  проводимость.

Проводимость проводников зависит от наличия примесей.
Примеси бывают донорные и акцепторные. Донорная примесь —
примесь с большей валентностью. Например, для
четырехвалентного кремния донорной примесью является
пятивалентный мышьяк. Четыре валентных электрона атома
мышьяка участвуют в создании ковалентной связи, а пятый 
станет электроном проводимости.

При нагревании  нарушается ковалентная связь, 
возникают  дополнительные   электроны
проводимости  и «дырки». Поэтому в кристалле количество
свободных электронов преобладает над количеством «дырок».
Проводимость такого проводника является электронной,
полупроводник является
полупроводником n-типа. 
Электроны являются основными
носителями заряда, «дырки» —
неосновными.

Акцепторная
 примесь —
примесь с меньшей валентностью. Например, для
четырехвалентного кремния акцепторной примесью является
трехвалентный индий. Три валентных электрона атома индия
участвуют в создании ковалентной связи с тремя атомами
кремния, а на месте четвертой  незавершенной
ковалентной связи образуется «дырка». 

При нагревании  нарушается ковалентная связь, 
возникают  дополнительные   электроны
проводимости  и «дырки». Поэтому в кристалле количество
«дырок» преобладает над количеством свободных электронов.
Проводимость такого проводника является дырочной,
полупроводник является
полупроводником p-типа. 
«Дырки» являются основными
носителями заряда, электроны —
неосновными.

p-n
переход.

 При контакте полупроводников p-типа
и  n-типа через границу
происходит диффузия электронов из n-области
в p-область и «дырок» из
p-области в n-область. Это
приводит к возникновению запирающего слоя, препятствующего
дальнейшей диффузии.  p-n
переход обладает односторонней
проводимостью.

При подключении p-n перехода к
источнику тока так, чтобы p-область
была соединена с положительным полюсом , а  n-область —
с отрицательным полюсом, появляется  движение основных
носителей зарядов через контактный слой. Этот способ
подключения называют включением в прямом направлении.

 

При подключении p-n перехода к
источнику тока так, чтобы p-область
была соединена с отрицательным  полюсом , а 
n-область — с положительным полюсом, толщина запирающего
слоя увеличивается, и движение основных носителей зарядов
через контактный слой прекращается, но может иметь место
движение неосновных зарядов через контактный слой. Этот
способ подключения называют включением в обратном
направлении.

Принцип действия полупроводникового диода  основан
на свойстве односторонней проводимости 
p-n перехода. Основное применение
полупроводникового диода — выпрямитель тока.

 

Вольт-амперная характеристика
полупроводникового диода.

Зависимость силы тока от напряжения выражена  кривой
АОВ.

Ветвь ОВ соответствует пропускному направлению тока,
когда ток создается основными носителями зарядов, и 
при увеличении напряжения сила тока возрастает. Ветвь АО
соответствует току, созданному неосновными носителями
зарядов, и значения силы тока невелики.

Концентрация
электронов проводимости n_p
является важнейшей характеристикой
металлического состояния. Для определения
ве­личин n_p
используются разнообразные методы
[43]: электрические, оптические,
гальваномагнитные (например, эффект
Холла), изме­рения электронной части
теплоемкости металла и поверхностного
импеданса на радиочастотах. Температурные
зависимости n_p
по­зволяют определять величины p_F,
_F
и кон­центрацию электронов свободного
электронного газа (n_p = N/V,
где N – общее число элек­тронов, V –
объем).

Метод аннигиляции
позитронов является прямым методом
оп­ределения величин n_p
в металлах. Исходя из факта, что все
пози­троны в металлах аннигилируют
в свободных соударениях, можно записать
выражение для определения величин n_p()
из данных спектров УРАФ (см. табл.8.1)

n_p()
= 5,94210²⁰
³_p,
см^–3.
(8.16)

Сведения о
концентрации электронов в зоне
проводимости можно также получить по
измерениям скорости аннигиляции
пози­тронов в металлах. Действительно,
в этом случае позитроний не образуется
и скорость аннигиляции позитронов будет
определяться концентрацией электронов,
с которыми они испытывают соударе­ния

_d
= _dvn_e.
(8.17)

Здесь
_d = r₀²/ = (r₀²/v)c
– дираковское сечение 2-аннигиляции;
v – скорость позитрона; r₀
– классический радиус электрона.

Понимая под n_e
сумму концентраций электронов проводимости
n_p
и остовных электронов n_g,
выражение (8.17) можно записать в виде

_d
= (_p
+ _g),
(8.18)

где _p
и _g
– соответственно скорости аннигиляции
позитронов на электронах проводимости
и остовных электронах. Тогда вероятно­сти
аннигиляции по каждому из перечисленных
каналов будут

I_p
= _p/(_p
+ _g);
(8.19)

I_g
= _g
/(_p
+ _g).
(8.20)

Из выражений
(8.16), (8.19) и (8.20) можно найти связь между
измеряемой скоростью аннигиляции
позитронов в металле _изм = _d,
концентрацией электронов (проводимости
n_p
и остовных n_g)
и соответствующей вероятностью
аннигиляции (I_p
и I_g),
опреде­ляемой в угловых экспериментах:

n_p()
= _изм
I_p/r₀²c
= 1,354_изм
I_p10²³
см^–3;
(8.21)

n_g()
= _изм
I_g/
r₀²c
= 1,354_изм
I_g10²³
см^–3,
(8.22)

где _изм
= 1/_изм
– суммарная скорость аннигиляции
позитронов; _изм –
измеряемые времена жизни; I_p
и I_g
– относительные площади параболы и
гауссиниан в спектрах УРАФ (см. рис.8.9).
Отметим, что в формулах (8.17), (8.21) и (8.22)
_р
и _g
имеют размерность мрад, а _изм
– нс^–1.
Таким образом, выражения (8.21), (8.22)
позво­ляют так же, как и выражение
(8.17), оценить концентрацию
элек­тронов
проводимости n_p,
но уже с использованием результатов
из­мерения параметров аннигиляции
позитронов.

В табл.8.1 приведены
концентрации электронов проводимости,
определенные по данным УРАФ n_p()
(8.16), измерениям скорости аннигиляции
позитронов n_p()
(8.22) и значениям n_p
для идеальных металлов. Сравнение этих
концентраций указывает, что значения
n_p()
и n_p
близки, а значение n_p()
существенно отличается от них. В связи
с этим в табл.8.1 приведено значение
фактора

F=
n_p()
/ n_p()
= _c()
/ _c(_p),
(8.23)

характеризующего,
по нашему мнению, увеличение электронной
плотности в области нахождения позитрона
по сравнению с элек­тронной плотностью
свободного электронного газа [47]. Как
видно из таблицы, значения этого параметра
для исследованных металлов лежат в
интервале от 2,5 до 4,5.

Итак, взаимодействие
позитронов с электронным газом приво­дит
к локальному повышению концентрации
электронов и, как следствие, увеличению
скорости аннигиляции позитронов. В то
же время увеличение электронной
плотности, по-видимому, не сказы­вается
заметным образом на значениях импульсов
и энергии элек­тронов (а следовательно,
и величин _p),
входящих в состав ком­плекса Ps^–,
так как спектр УРАФ, описывающий
аннигиляцию из этого комплекса хорошо
аппроксимируется параболой, а
экспери­ментально определенное
значение энергии Ферми вполне
удов­ле­творительно согласуется с
ее теоретическим значением. Таким
об­разом, можно думать, что значения
концентрации электронов, оп­ределяемые
по формуле (8.16) с использованием только
данных УРАФ, будут наиболее достоверно
отражать значения концентра­ции n_p
свободного электронного газа. Это
действительно имеет ме­сто (см.
табл.8.1).

Величину эффективного
заряда 
комплекса Уилера Ps^–
можно оценить, сравнивая концентрацию
n_p()
электронов в области на­хождения
позитрона с концентрацией n(Ps)
в свободном атоме по­зитрония

n(Ps)
= (3/4)
r_Ps^-3
= 210²³
см^–3,
(8.24)

где r_Ps
= 1,0610^–8
см – радиус боровской орбиты позитрония.

Отношение этих
величин 
= n_p()/n(Ps)
приведено в табл.8.1. Значение параметра
,
усредненное по всем исследованным
метал­лам, оказалось равным 2,04.
Очевидно, что значение эффективного
заряда 
связано с параметром 
формальным соотношением  =  –
1, т.е. 

1, как и должно быть в комплексе Уилера.

Таким образом,
механизм аннигиляции позитронов в
металлах через образование комплексов
Уилера, по-видимому, находит
экс­периментальное подтверждение.
Значения концентрации электро­нов,
определяемые по формуле (8.16) с использованием
только данных УРАФ, наиболее достоверно
отражают значения концен­трации n_p
свободного электронного газа.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]

• #
• #
• #
• #
• #
• #
• #
• #
• #
• #
• #