Как найти критический ток по графику

 

Определение критического тока соленоида

Сообщение29.04.2013, 19:31 


23/10/12
713

Имеется график зависимости тока на аноде от тока на соленоиде. Стоит задача узнать критический ток. В интернете по-разному выбирают точки на графике для рассчета критического тока: в центре самого крутого спада, в низу самого крутого спада, по касательной от самого крутого спада. Как верно?

http://img.findpatent.ru/img_data/88/881353.gif

Изображение
Изображение

Профиль  

nestoronij 

 Re: Определение критического тока соленоида

Сообщение29.04.2013, 21:02 


09/02/12
358

Это точка пересечения двух касательных. Но в методе магнетрона Ваш график (первый) не совсем верный. При увеличении тока соленоида горизонтального участка не получится. Во всяком случае в нашей установке такого не наблюдалось. Вот рис.3 , то что должно быть. Но касательная к верхней части кривой и спаду.

Профиль  

Модераторы: photon, whiterussian, profrotter, Jnrty, Aer, Парджеттер, Eule_A, Супермодераторы

Для
определения удельного заряда электрона
используется двух- электродная лампа,
включенная по схеме, данной на рис.
4.3.а.

Лампа
помещена в центральную часть соленоида,
схема включения которого приведена на
рис.4.3.б. Ток в цепи соленоида устанавливают
с помощью реостата Rс.

а)

б)

Рис.4.3

Реостатом
Ra
поддерживается постоянное анодное
напряжение Uа.
Анодный ток измеряется миллиамперметром
mA. Для определения критического тока
Iс
кр
снимают график зависимости анодного
тока Ia
от тока в соленоиде Iс,
экспериментальные кривые Ia
=
Ia
(Ic)
не будут делать вертикаль-

Рис.4.4

ного
сброса силы анодного тока при
определенном значении Ic
(риc.4.4), что объясняется разбросом в
начальных скоростях электронов,
покидающих катод. Для определения Ic
кр

нужно провести графическое
дифференцирование полученных кривых.
Ic
кр

соответствует максимуму на графике
зависи-

мости
от Ic
(эта зависимость показана пунктиром
на рис.4.4). Вместо графического
дифференцирования можно ограничиться
нахождением точки на графике Iа
= Iа
(Iс),
в которой касательная имеет максимальный
наклон (это делается с помощью линейки).
Соответствующее значение Ic
и будет критическим.

    1. Выполнение
      работы и обработка результатов

  1. Включить
    схему, собранную согласно рис.4.3, в сеть
    220 В.

  2. После
    3 минут прогрева катода установить одно
    из рекомендованных значений анодного
    напряжения Uа.

  3. Увеличивая
    ток в цепи соленоида ступенями по 0,1 А.
    Записать для каждого значения силы
    тока соленоида Ic
    соответствующее
    значение анодного
    тока
    Iа.
    При этом анодное напряжение следует
    поддерживать постоянным.

  4. Опыт
    повторить для трех анодных напряжений
    (указывает преподаватель).

  5. По
    результатам опыта для каждого Uа
    на миллиметровой бумаге построить
    график зависимости анодного тока от
    тока в соленоиде (на одном рисунке).

  6. Из
    графиков найти критический ток Iс
    кр

    в соленоиде для каждого значения Uа,
    затем по формуле (4.7) вычислить е/m. Из
    трех значений для е/m взять среднее
    арифметическое.

  7. Оценить
    погрешность вычислений.

  8. Используя
    табличные данные для заряда и массы
    электрона, рассчитать величину удельного
    заряда электрона. Сравнить с
    экспериментально полученной величиной
    е/m.

    1. Контрольные
      вопросы

  1. Что
    называют удельным зарядом электрона?

  2. Какие
    силы действуют на электрон при его
    движении между электродами лампы? Чему
    они равны и как направлены?

  3. По
    какой траектории движется электрон
    при наличии Е и В.

  4. Что
    такое критическое поле Вкр
    и критический ток Ic
    кр
    ?

  5. Как
    определяется е/m электрона в данной
    работе?

  6. Почему
    спад на кривой зависимости Iа
    от Iс
    получается не в виде ступеньки, а
    размытым?

Литература.
[1, §§18.1; 2, §§ 37; 3, §§ 72-74].

  1. ИЗУЧЕНИЕ
    ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ФЕРРОМАГНЕТИКОВ

Цель
работы:

изучение зависимости магнитной индукции
B в веществе от напряженности H внешнего
магнитного поля. Определение зависимости
магнитной проницаемости m от напряженности
магнитного поля Н. Определение коэрцитивной
силы и остаточной индукции.

Приборы
и принадлежности:

ферритовый тороид, осциллограф, генератор
синусоидальных сигналов, цифровой
вольтметр, амперметр, резисторы,
конденсатор.

    1. Теоретические
      сведения

Движение
электронов по замкнутой орбите
эквивалентно круговому току I = e ν, где
е — заряд электрона, а ν — частота обращения
электрона. При этом модуль орбитального
магнитного момента электрона (см. формулы
(7)…(9))

Рm
орб
= е ν π r
2
(5.1)

Модуль
момента импульса электрона, движущегося
по круговой орбите (см. рис.5.1),

Lорб
=

m
r
υ
= m

2
π ν
r2.
(5.2)

Рис.5.1

Сравнивая
формулы (5.1) и (5.2), найдем магнитомеханическое
отношение:

.
(5.3)

Кроме
орбитальных моментов

и

электрон
имеет также собственный момент импульса
,
называемый спином,
и собственный магнитный момент Pms,
причем

, (5.4)

что
в два раза превышает аналогичное
отношение (5.3) для орбитальных моментов.
В настоящее время установлено, что
именно собственные магнитные моменты
электронов ответственны за магнитные
свойства многих веществ и, в частности,
ферромагнетиков.

Общий
магнитный момент атома

равен
сумме орбитальных и собственных магнитных
моментов его электронов. Пусть ∆V —
небольшой объем пространства, заполненного
веществом.

Величину

,
(5.5)

где
в числителе стоит сумма всех атомных
магнитных моментов в объеме DV, называют
намагниченностью
вещества
.
Таким образом,
представляет собой магнитный момент
единицы объема.

Вектор

(5.6)

называют
напряженностью
магнитного поля
.
Для изотропных магнетиков

,
(5.7)

где
χ — коэффициент, зависящий от рода
вещества. Его называют магнитной
восприимчивостью
.

Вектор .
(5.8)

Коэффициент
μ= 1 + χ называют магнитной
проницаемостью вещества.

Вещества, для которых χ < 0 (μ<1), называют
диамагнетиками
.
Вещества, для которых χ > 0 (μ>1), называют
парамагнетиками.
Среди парамагнетиков выделяют класс
веществ, называемых ферромагнетиками,
для которых: 1) χ (μ) может значительно
превышать единицу и 2) χ
и
μ зависят от H.

Ферромагнетикам
свойственно явление
гистерезиса
.
Оно заключается в том, что J зависит не
только от H в данный момент, но и от того,
как изменилась H в предшествующие моменты
времени. Следовательно, для ферромагнетиков
J не является однозначной функцией H.

В
ферромагнетике имеются микрообласти,
в которых все атомные моменты параллельны
друг другу даже в отсутствие внешнего
магнитного поля. Эти области называют
доменами.

Если
ферромагнетик поместить в магнитное
поле, интенсивность которого постепенно
возрастает, то его намагниченность
можно довести до насыщения (точка А на
рис.5.2) и зависимость
от(кривая намагничива-

Рис.5.2

ния)
выразится участком ОА. При уменьшении
до нуля кривая намагничивания не
совпадает с ОА, а идет по АJr,
т.е. при снятии внешнего поля
ферромагнетик остается намагниченным
состаточной
намагничен-ностью

Jr.
Для полного размагничивания образца
необходимо приложить магнитное поле
обратного направления до величины
Нc.
Величину напряженности Нc
называют коэрцитивной
силой
.
При дальнейшем увеличении обратного
магнитного поля вновь достигается
насыщение J (точка C на рис.5.2). В результате
при попеременном изменении направления
H зависимость J от Н выразится замкнутой
кривой, называемой
петлей гистерезиса.

Нелинейная зависимость
отдля ферромагнетиков связана с их
доменной структурой.

Аналогичная
предельная петля магнитного гистерезиса
для зависимости
отпредстав-

Рис.5.3

лена
на рис.5.3. Величина Вост
называется остаточной
индукцией.

Площадь петли гистерезиса на рис.5.3
пропорциональна количеству теплоты,
выделяющемуся в единице объема
ферромагнетика за один цикл перемагничивания.

    1. Описание
      установки и метода измерений

Схема
установки показана на рис.5.4. Исследуемым
образцом является ферритовый тороид
Т, на который равномерно намотаны две
об- мотки 1 и 2 с числом витков N1
и N2
соответственно. Последователь- но с
намагничивающей обмоткой 1 включен
резистор r1,
сопротивление которого равно R1,
и миллиамперметр mА. Напряжение с
сопротивления R1
подается на горизонтальный вход X
осциллографа. Это напряжение
пропорционально

Рис.5.4

напряженности
поля катушки 1, так как через обмотку 1
и резистор r1
течет один и тот же ток. Следовательно,
и отклонение луча по горизонтали
пропорционально Н.

Для
тороида Н = n I, где I — сила тока в тороиде,
n — число витков на 1 м тороида (плотность
витков).

Миллиамперметр
показывает эффективное значение тока
Iэф.
Амплитуда переменного тока.
Таким образом, для амплитуды намагничивающего
поля имеем:

, (5.9)

где
Lср
средняя длина тороида, а

плотность витков обмотки 1.

На
вертикальный вход У осциллографа
подается напряжение U с конденсатора
С. Пренебрегая падением напряжения на
вторичной обмотке 2, имеем (по закону
Ома): ε = R2J2
— Uс
где ε- ЭДС индукции, возникающая в обмотке
2, R2
— сопротивление резистора r2,
Uс
— напряжение на конденсаторе С. Если R2
и С так велики, что R2J2
»
Uc,
то

, (5.10)

где
N2
— число витков обмотки 2, а S — площадь
сечения тороида.

Учитывая
выражение (5.10), получаем:

, (5.11)

или

. (5.12)

Таким
образом, отклонение электронного луча
по оси У (по верти- кали на экране
осциллографа) будет пропорционально
величине В (в каждый момент времени).
Напомним, что отклонение луча по
горизонтальной оси х пропорционально
Н.

За
полный цикл изменения Н луч описывает
на экране осциллографа петлю гистерезиса
(рис.5.3):

В
= f(Н).

    1. Задание
      и отчетность

  1. Собрать
    схему согласно рис.5.3 (все ручки на
    приборах находятся в положениях,
    отмеченных красными точками !).

  2. Изменяя
    ток I эф
    в намагничивающей обмотке поворотом
    ручки «Рег. выхода» генератора
    низкочастотных сигналов, измерить
    напряжение на конденсаторе Uс
    эф

    универсальным вольтметром В7-16, выбирая
    пределы измерения и интервалы величин
    согласно таблице, имеющейся на рабочем
    месте.

  3. Результаты
    измерений Iэф
    и Uс
    эф

    записать в таблицу.

  4. Для
    каждого значения Iэф
    определить Но
    и Во
    по формулам (5.9) и (5.12) соответственно.
    Построить основную кривую Во
    = f(Нo)
    (участок ОА на рис.5.3).

  5. Для
    каждого Но
    определить μ по формуле
    и построить график μ=f(H)

    1. Дополнительное
      задание

Определить
коэрцитивную силу Нс
и остаточную индукцию Вr,
установив для этого максимальную
величину I2
= 40 мА.

  1. Определить
    по осциллографу число делений,
    соответствующее коэрцитивной силе Нс
    (отрезок
    ОНс
    на рис.5.3), и умножить его на цену деления
    Сн
    (указана на передней панели прибора).
    Так рассчитывается напряжение U.

Коэрцитивную
силу вычислить по формуле

  1. Определить
    по осциллографу число делений,
    соответствующее остаточной индукции
    Вr
    (отрезок ОВr
    на рис.5.3), и умножить его на цену деления
    Св
    (значение Св
    определяется по положению большой
    ручки переключателя «Вольт/дел.»).
    Тем самым Вы найдете Uсr.
    Остаточную индукцию определить по
    формуле

Skip Navigation Links.

Collapse Каталог Каталог
Поиск
Поступления
Замечания
Expand Справка Справка
Expand Разделы Разделы
Expand Направления Направления
Expand Статистика Статистика
Контакты
Регистрация пользователей
Редактирование описаний
Expand Служебное Служебное
Expand Обращения Обращения
Collapse Ресурсы Ресурсы
Expand Маркетинг Маркетинг
Expand Физика диэлектриков Физика диэлектриков
Collapse ЭТМ ЭТМ
Collapse ЭТМ (базовый) ЭТМ (базовый)
Expand Электропроводность Электропроводность
Expand Поляризация Поляризация
Expand Потери Потери
Expand Пробой Пробой
Expand Диэлектрики Диэлектрики
Expand Магнитные материалы Магнитные материалы
Expand Радиационные свойства диэлектриков Радиационные свойства диэлектриков
Expand Полупроводники Полупроводники
Collapse Проводниковые материалы Проводниковые материалы
Expand Свойства проводников Свойства проводников
Expand Проводниковые металлы и сплавы Проводниковые металлы и сплавы
Collapse Сверхпроводимость Сверхпроводимость
Сверхпроводники
Критическое магнитное поле и критический ток
Классификация
Самопроверка

Expand ЭТМ (ИЭТ) ЭТМ (ИЭТ)
Expand ЭТМ (ИЭЭ) ЭТМ (ИЭЭ)
Expand ЭТМ (ИРЭ) ЭТМ (ИРЭ)
Expand ЭТМ-экспресс ЭТМ-экспресс
Expand Публикация ЭОР Публикация ЭОР
Expand Лаборатория Лаборатория

 СверхпроводникиК концу страницыСверхпроводимостьКлассификация
 Пользователь:
Каталог | Ресурсы | ЭТМ | ЭТМ (базовый) | Проводниковые материалы | Сверхпроводимость | Критическое магнитное поле и критический ток 

Критическое магнитное поле и критический ток

Понравилась статья? Поделить с друзьями:
  • Как найти интервал статистического ряда
  • Как найти обьем детали в цилиндрическом сосуде
  • Как найти файл контактов в смартфоне
  • Как найти жидкость для электронных сигарет
  • Составить схему предложения как только жара спала