Как найти перенос заряда

Содержание:

Работа по перемещению заряда в электростатическом поле:

В повседневной жизни мы довольно часто, особенно в сухую погоду, встречаемся с ситуацией, когда, коснувшись какого-либо тела, чувствуем неприятный удар. Как показывает опыт, таких сюрпризов можно ожидать от тел, имеющих высокий потенциал.

Работа по перемещению заряда в однородном электростатическом поле

Если электростатическое поле действует с некоторой силой на электрически заряженные тела, то оно способно совершить работу по перемещению этих тел.

Пусть в однородном электростатическом поле напряженностью Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами

Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами

Вычислим работу А, которую совершает сила Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами, действующая на заряд со стороны электростатического поля. По определению работы: A=Fscosα.

Поле однородное, поэтому сила Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами постоянна, ее модуль равен: F=qE, а scosα=d=Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерамиявляется проекцией вектора перемещения на направление силовых линий поля. Следовательно, работа сил однородного электростатического поля по перемещению электрического заряда q из точки 1 в точку 2 ( Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами) равна:

Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами

Обратите внимание! Если бы в данном случае заряд перемещался не из точки 1 в точку 2, а наоборот, то знак работы изменился бы на противоположный, то есть работа совершалась бы против сил поля.

Обратите внимание! Формула Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами будет справедлива в случаях движения заряда по любой траектории. То есть однородное электростатическое поле является потенциальным.

Потенциальным является любое электростатическое поле: работа электростатических (кулоновских) сил (как и работа гравитационных сил) не зависит от формы траектории, по которой перемещается заряд, а определяется начальным и конечным положениями заряда. Если траектория движения заряда замкнута, работа сил поля равна нулю.

Потенциальная энергия заряженного тела в поле, созданном точечным зарядом

Заряженное тело, помещенное в электростатическое поле, как и тело, находящееся в гравитационном поле Земли, обладает потенциальной энергией. Потенциальную энергию заряда, находящегося в электрическом поле, обычно обозначают символом Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами. Согласно теореме о потенциальной энергии изменение потенциальной энергии заряда, взятое с противоположным знаком, равно работе, которую совершает электростатическое поле по перемещению заряда из точки 1 в точку 2 поля:

Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами

Потенциальную энергию взаимодействия двух точечных зарядов Q и q, расположенных на расстоянии r друг от друга, определяют по формуле:

Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами

Обратите внимание: 1) потенциальная энергия взаимодействия зарядов положительна (Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами > 0), если заряды одноименные, и отрицательна (Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами < 0), если заряды разноименные; 2) если заряды бесконечно отдалить друг от друга (r → ∞), то Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами = 0 (заряды не будут взаимодействовать). Таким образом, потенциальная энергия взаимодействия двух точечных зарядов равна работе, которую должно совершить электростатическое поле для увеличения расстояния между этими зарядами от r до бесконечности.

Что называют потенциалом электростатического поля

Потенциал Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами электростатического поля в данной точке — это скалярная физическая величина, которая характеризует энергетические свойства поля и равна отношению потенциальной энергии Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами электрического заряда, помещенного в данную точку поля, к значению q этого заряда:

Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами

Единица потенциала в Си — вольт: Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами

Из определения потенциала следует, что потенциал ϕ поля, созданного точечным зарядом Q, в точках, которые расположены на расстоянии r от данного заряда, можно рассчитать по формуле: Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами

Из формулы ( *) видно: 1) если поле создано положительным точечным зарядом (Q > 0), то потенциал этого поля в любой точке является положительным ( ϕ > 0); 2) если поле создано отрицательным точечным зарядом (Q < 0), то потенциал этого поля в любой точке является отрицательным (ϕ < 0). Формула ( *) справедлива и для потенциала поля равномерно заряженной сферы (или шара) на расстояниях, которые больше ее радиуса или равны ему.

Если поле создано несколькими произвольно расположенными зарядами, потенциал ϕ поля в любой точке данного поля равен алгебраической сумме потенциалов Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами полей, созданных каждым зарядом:

Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами

Как определяют разность потенциалов

Когда в электростатическом поле заряд движется из точки 1 в точку 2, это поле совершает работу, которая равна изменению потенциальной энергии заряда, взятому с противоположным знаком: Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами. Поскольку Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами то Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами Выражение Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами называют разностью потенциалов, где Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами — значение потенциала в начальной точке траектории движения заряда, Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами — значение потенциала в ее конечной точке.

Разность потенциалов — скалярная физическая величина, равная отношению работы сил электростатического поля по перемещению заряда из начальной точки в конечную к значению этого заряда:

Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами

Единица разности потенциалов в Си — вольт: Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами = 1 В (V).

Разность потенциалов между двумя точками поля равна 1 В, если для перемещения между ними заряда 1 Кл электростатическое поле совершает работу 1 Дж. Обратите внимание: в подобных случаях разность потенциалов Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами − также называют напряжением (U). Важно не путать изменение потенциала Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами и разность потенциалов (напряжение) Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами.

Как связаны напряженность однородного электростатического поля и разность потенциалов

Рассмотрим однородное электростатическое поле на участке между точками 1 и 2, расположенными на расстоянии d друг от друга; пусть из точки 1 в точку 2 под действием поля перемещается заряд q (рис. 42.2).

Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами

Совершаемую полем работу можно найти двумя способами: 1) через разность потенциалов между точками 1 и 2:Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами; 2) через напряженность поля: Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами — проекция вектора Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами на ось Ох, проведенную через точки 1 и 2.

Приравняв оба выражения для работы, получим: Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами, откуда: Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами, илиРабота по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами

Если заряд перемещается в направлении напряженности электрического поля (Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами) , последняя формула примет вид:

Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами

Из последней формулы следует единица напряженности в Си — вольт на метр:

Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами

Какие поверхности называют эквипотенциальными

Для визуализации электростатического поля кроме силовых линий используют также эквипотенциальные поверхности.

Эквипотенциальная поверхность — это поверхность, во всех точках которой потенциал электростатического поля имеет одинаковое значение.

Для наглядности следует рассматривать не одну эквипотенциальную поверхность, а их совокупность. Однако графически изобразить совокупность поверхностей сложно, поэтому обычно изображают только линии пересечения эквипотенциальных поверхностей некоторой плоскостью (рис. 42.3).

Эквипотенциальные поверхности тесно связаны с силовыми линиями электростатического поля. Если электрический заряд перемещается по эквипотенциальной поверхности, то работа поля равна нулю, поскольку A=q ( Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами), а на эквипотенциальной поверхности Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами.

Работу электростатического поля также можно представить через силу Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами, действующую на заряд со стороны поля: A F= scosα , где α — угол между векторамиРабота по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами и Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами. Поскольку A = 0, а F ≠ 0 и s ≠ 0, то cosα = 0, то есть α = 90°. Это означает, что при движении заряда вдоль эквипотенциальной поверхности вектор силы Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами, а следовательно, и вектор напряженности Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами поля в любой точке перпендикулярны вектору перемещения Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами.

Таким образом, силовые линии электростатического поля перпендикулярны эквипотенциальным поверхностям (см. рис. 42.3).

Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами

Обратите внимание! Симметрия эквипотенциальных поверхностей повторяет симметрию источников поля. Так, поле точечного заряда сферически симметрично, поэтому эквипотенциальными поверхностями поля точечного заряда являются концентрические сферы; при однородном поле эквипотенциальные поверхности — это система параллельных плоскостей.

  • Заказать решение задач по физике

Пример решения задачи

Электрон, начав движение из состояния покоя, прошел ускоряющую разность потенциалов –300 В. Какую скорость приобрел электрон? Масса электрона Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерамикг, заряд Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами Кл.

Заряд электрона — отрицательный, его начальная скорость Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами = 0, поэтому под действием сил поля электрон будет двигаться в направлении, противоположном направлению силовых линий поля, то есть в направлении увеличения потенциала. Поле будет совершать положительную работу, в результате кинетическая энергия электрона и его скорость будут возрастать.

Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами

Решение:

Поиск математической модели, решение Согласно теореме о кинетической энергии:

Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами— работа сил поля.

Таким образом, Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами, отсюда Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами .

Проверим единицу, найдем значение искомой величины:

Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами

Ответ: Работа по перемещению заряда в электростатическом поле с примерами

Выводы:

  • Закон Ома для однородного участка электрической цепи
  • Закон Ома для полной цепи
  • Закон Ома для цепи переменного тока с последовательным соединением сопротивлений
  • Сила и закон Ампера
  • Волновое движение в физике
  • Продольные и поперечные волны в физике
  • Звуковые волны в физике
  • Электрическое поле в физике

Взависимости от того, как заполнены зоны
электронами, кристаллы разделяют на
диэлектрики, полупроводники и металлы.
Рассмотрим сначала полностью
заполненную зону (рис.6). Под действием
электрического поляза промежуток времени ∆t
волновое число электронов меняется на
величину ∆k=.
При этом электроны переходят по состояниям
(направление переходов указано стрелкой
на рис.6), оставляя состояния заполненными,
как и в случае отсутствия поля. Для
каждого заполненного состояния с
волновым числомk
есть симметричное ему состояние с –k.
Два состояния с k
и –k
интерферируют и дают стоячую волну. Это
справедливо для всей зоны. Поэтому
полностью заполненная зона не дает
вклада в перенос заряда (ток).

Рассмотрим теперь
зону, заполненную частично так, как
показано на рис.7а. В отсутствие
электрического поля (рис.7а) состояния
заполнены симметрично и описываются
стоячими волнами. Электрическое поле,
увеличивая волновые числа, создает
асимметрию в заполнении состояний
(рис.7б). (Пунктирной стрелкой показано
изменение волнового числа за счет
расстояния.) В этом случае для состояний,
отмеченных волнистой стрелкой, нет
состояний с отрицательными волновыми
числами. Поэтому эти состояния будут
описываться бегущими волнами и,
следовательно, создавать поток электронов
в направлении, противоположном полю.
Таким образом, не полностью заполненная
зона при наличии электрического поля
дает вклад в перенос заряда. (Отклонение
заполнения состояний в зоне за счет
тепловых возбуждений от симметричного
заполнения приводит к появлению случайных
токов (шумы).)

Определенный
интерес представляет рассмотрение
поведения электронов почти заполненной
зоны. Будем считать, что все состояния,
кроме малой доли, вблизи потолка зоны,
заполнены электронами. Эту ситуацию
можно проанализировать, исходя из двух
законов дисперсии (рис.8а, рис9а).

Как
видно из рисунков, под действием
электрического поля электроны заполняют
состояния, смещаясь вправо в сторону
увеличения волнового числа k.
(Напомним, что волнистыми стрелками
указано направление распространения
волн, соответствующее направлению
групповой скорости vф=,
а стрелки, соединяющие состояния в
точках,
означают, что это одно и то же состояние.)

Результат
асимметрии заполнения состояний (рис.8б,
рис.9б) – бегущие волны в положительном
направлении оси x,
что соответствует электрическому току
в направлении электрического поля и
полностью совпадает с ранее рассмотренной
ситуацией для частично заполненной
зоны вблизи ее дна.

Если
вспомнить исходный момент рассмотрения,
то возникает вполне естественное желание
перейти от описания через большое число
электронов (тем более что большая их
часть заполняет состояния, соответствующие
стоячим волнам) к малому числу незаполненных
состояний. Как видно из рис.8б, 9б, перенос
осуществляют только те электронные
волны, для которых состояния, противоположные
по волновому числу k,
не заполнены. Если представить себе,
что незаполненные состояния заполнены
“электронами” с

положительным зарядом
и им приписаны соответствующие электронные
волны, а в остальных состояниях электроны
отсутствуют (рис.8в, 9в), то результат
совпадает с исходной кривой (рис.8б, 9б).

С другой стороны,
рассмотренная ситуация эквивалентна
показанной на рис.10. На этом рисунке
рассмотрены те же законы дисперсии,
только перевернутые по энергии (рис.10а
соответствует рис.8б; рис.10в – рис.9в), и
заполненные положительными частицами.
Нетрудно убедиться в том, что, например,
ситуации на рис.8б, 8в, 10а фактически не
различимы. Другими словами, движение
электронов почти заполненной зоны может
быть заменено эквивалентным им “движением”
незаполненных состояний как положительно
заряженных частиц. Таким образом,
подходят к понятию дырки.

Рассмотренные
особенности поведения электронов в
зонах позволяют разделить твердые тела
на металлы, диэлектрики и полупроводники.
С этой точки зрения последняя зона для
металлов должна быть заполнена частично,
что обусловливает проводимость металлов
вплоть до абсолютного нуля температуры.
В полупроводниках и диэлектриках должны
существовать две разрешенные зоны,
разделенные между собой запрещенной
зоной, причем нижняя зона при абсолютном
нуле температуры должна быть полностью
заполнена, а верхняя – пуста. В такой
ситуации проводимость при Т=0 К отсутствует.
С ростом температуры в полупроводниках
электроны заполненной зоны, называемой
валентной, переходят в верхнюю (зону
проводимости) за счет термического
возбуждения при относительно малой
ширине запрещенной зоны (∆ε~1 эВ). При
этом перенос заряда осуществляется как
электронами зоны проводимости, так и
дырками валентной зоны. Отличие
диэлектриков от полупроводников –
только в наличии более широкой запрещенной
зоны, что практически исключает тепловое
возбуждение носителей заряда.

Соседние файлы в папке Физика твердого тела

  • #
  • #
  • #
  • #
  • #
  • #
  • #

1. Введение

Если соединить проволокой два проводника, между которыми была создана разность потенциалов, то потенциалы будут выравниваться, при этом заряды на проводниках перераспределяются, а в соединительной проволоке происходит направленное перемещение зарядов, называемые током. Ток под действием приложений разности потенциалов возникает в любой среде, где имеются свободные электроны.

В зависимости от вида и природы зарядоносителей проводимость бывает электронной, ионной и дырочной.

Электронной проводимостью обладают металлы. Существует такая проводимость и в верхних слоях атмосферы, где плотность вещества невелика, благодаря чему электроны могут свободно перемещаться, не соединяясь с положительно заряженными ионами.

Жидкие электроны обладают ионной проводимостью. Ионы, являющиеся зарядоносителями, при движении перемещают вещество, в результате чего происходит выделение его на электродах.

Возможен механизм проводимости, обусловленный разрывом валентной связи, приводящим к появлению вакантного места с отсутствующей связью. Такое “пустые” место с отсутствующими электронами связи получило название — дырка.

Возникновение дырки в кристалле проводника создаёт дополнительную возможность для переноса заряда. Этот процесс, сопровождающийся перемещением электронов, получил название дырочной проводимостью.

Плазма, под которой понимается газ, имеющий концентрацию зарядоносителей, намного превышающую незаряженных частиц, обладает электронной и ионной проводимостью.

2.Ток в жидкостях.

Происхождение электрического тока (движение электрических зарядов) через раствор существенно отличается от движения электрических зарядов по металлическому проводнику.

Различие, прежде всего в том, что зарядоносителями в растворах являются не электроны, а ионы, т.е. сами атомы или молекулы, потерявшие или захватившие один или несколько электронов.

Естественно, это движение, так или иначе, сопровождается изменением свойств самого вещества.

Рассмотрим электрическую цепь, элементом которой является сосуд с раствором поваренной соли и с вставленными в него электродами любой формы из пластины. При подключении к источнику питания в цепи появляется ток, представляющий собой в растворе движение тяжелых заряженных частиц – ионов. Появление ионов уже означает возможность химического разложения раствора на два основных элемента – Na и Cl. Натрий, потерявший электрон, представляет собой положительно заряженный ион, движущийся к электроду, который подключен к отрицательному полюсу источника питания, электрической цепи. Хлор, “узурпировавший” электрон, представляет собой отрицательный ион.

Отрицательные ионы хлора движутся к электроду, который подключен к положительному полюсу источника питания эл. цепи.

Образование положительных и отрицательных ионов происходит вследствие самопроизвольного распада молекулы поваренной соли в водном растворе (электролитическая диссоциация). Движение ионов обусловлено напряжением, поданным на электроды, опущенные в раствор. Достигнув электродов, ионы забирают или отдают электроны, образуя соответственно молекулы Cl и Na. Подобные явления наблюдаются в растворах многих других веществ. Молекулы этих веществ, подобно молекулам поваренной соли, состоят из противоположно заряженных ионов, на которые они и распадаются в растворах. Количество распавшихся молекул, точнее, число ионов, характеризует электрическое сопротивление раствора.

Ещё раз подчеркнём, что происхождение электрического тока по цепи, элементом которой является раствор, вызывает перемещение вещества этого элемента электрической цепи, и, следовательно, изменение его химический свойств, в то время, как при прохождении электрического тока по металлическому проводнику никаких изменений в проводнике не происходит.

От чего зависит количество вещества, выделяющегося при электролизе на электродах? Впервые на этот вопрос ответил Фарадей. Фарадей показал экспериментально, что масса выделяемого вещества связана с силой тока и временем его протекания t соотношением (закон Фарадея):

Масса выделяющегося вещества при электролизе вещества прямо пропорциональна количеству прошедшего через электролит электричества и не зависит от других причин, кроме рода вещества.

Указанную закономерность можно проверить на следующих опытах. Нальём в несколько ванн один и тот же электролит, но разной концентрации. Опустим в ванны электроды, имеющие разную площадь, и расположим их в ванных на разных расстояниях. Соединим все ванны последовательно и пропустим через них ток. Тогда через каждую из ванн, очевидно, пройдёт одинаковое количество электричества. Взвесив катоды до и после опыта, мы обнаружим, что на всех катодах выделилось одинаковое количество вещества. Соединив все ванны параллельно и пропустив через них ток, можно убедиться, что количество вещества, выделившегося на катодах, прямо пропорционально количеству электричества, прошедшему через каждую из них. Наконец, соединив последовательно ванны с различными электролитами, легко установить, что количество выделившегося вещества зависит от рода этого вещества.

Величина, характеризующая зависимость количества выделяющегося при электролизе вещества от его рода, называется электрохимическим эквивалентом и обозначается буквой к.

Электрохимический эквивалент вещества измеряется массой вещества, выделяющегося на электроде при прохождении через электролит единицы количества электричества,

Масса вещества, выделяющегося при электролизе, представляет собой общую массу всех разрядившихся на электроде ионов. Подвергая электролизу разные соли, можно на опыте установить количество электричества, которое должно пройти через электролит, чтобы выделился один килограмм – эквивалент данного вещества. Такие опыты впервые проделал Фарадей. Он нашел, что для выделения одного килограмм – эквивалента любого вещества при электролизе требуется одинаковые количества электричества, равные 9,65·107 к.

Количество электричества, необходимое для выделения при электролизе килограмм – эквивалента вещества, называется числом Фарадея и обозначается буквой F:

F = 9,65·107 к.

В электролите ион оказывается окруженным молекулами растворителя (воды), обладающими значительными дипольными моментами. Взаимодействуя с ионом, дипольные молекулы поворачиваются к нему своими концами, имеющими заряд, знак которого противоположен заряду иона, поэтому упорядочное движение иона в электрическом поле затрудняется, и подвижность ионов значительно уступает подвижности электронов проводимости в металле. Так как и концентрация ионов обычно не велика по сравнению с концентрацией электронов в металле, то электрическая проводимость у электролитов всегда существенно меньше электрической проводимости металлов.

Вследствие сильного нагревания током в электролитах достижимы лишь незначительные плотности тока, т.е. небольшие напряженности электрического поля. При повышении температуры электролита упорядоченная ориентация диполей растворителя ухудшается под влиянием усилившегося беспорядочного движения молекул, поэтому дипольная оболочка частично разрушается, подвижность ионов и проводимость раствора увеличивается. Зависимость удельной электрической проводимости от концентрации при неизменной температуре сложна. Если растворение возможно в любых пропорциях, то при некоторой концентрации электрическая проводимость имеет максимум. Причина этого такова: вероятность распада молекул на ионы пропорциональна числу молекул растворителя и числу молекул растворимого вещества в единице объёма. Но возможен и обратный процесс: (рекомбинация ионов в молекулы), вероятность которого пропорциональна квадрату числа пар ионов. Наконец, электрическая проводимость пропорциональна числу пар ионов в единице объёма. Поэтому, при малых концентрациях диссоциация полная, но общее число ионов мало. При очень больших концентрациях диссоциация слабая и число ионов также невелико. Если растворимость вещества ограничена, то обычно максимума электрической проводимости не наблюдается. При замораживании вязкость водного раствора резко возрастает, подвижность ионов резко уменьшается, и удельная электрическая проводимость падает в тысячу раз. При затвердевании же жидких металлов подвижность электронов и удельная электрическая проводимость почти не изменяется.

Электролиз широко применяется в различных электрохимических производствах. Важнейшие из них: электролитическое получение металлов из водных растворов их солей и из их расплавленных солей; электролиз хлористых солей; электролитическое окисление и восстановление; получение водорода электролизом; гальваностегия; гальванопластика; электрополировка. Методом рафинирования получают чистый металл, очищенный от примесей. Гальваностегия – покрытие металлических предметов другим слоем металла. Гальванопластикой – получение металлических копий с рельефных изображений каких-либо поверхностей. Электрополировка – выравнивание металлических поверхностей.

Литература:

  1. Электричество С.Г. Калашников
  2. Москва 1977г.

    2.Лекции по эл. свойствам материалов

    издательство “Мир” 1991г.

  3. Электричество и человек

В.Е.Манойлов. 1988г. стр. 15

3.Диэлектрики.

Поляризация – важнейшая характеристика диэлектрика. В зависимости от того, преобладает ли движение свободных зарядов, или происходит поляризация, вещества делятся на два класса – проводники и диэлектрики. В диэлектриках положительные и отрицательные заряды связаны друг с другом и не могут смещаться только в пределах одной молекулы (по-другому сказать, у диэлектриков целиком заполнена энергетическая зона). При отсутствии воздействия внешнего электрического поля заряды разных знаков распределены по объёму диэлектрика равномерно. Под действием внешнего поля заряды, входящие в каждую молекулу, смещаются в противоположных направлениях. Это смещение проявляется в виде появления зарядов на поверхности диэлектрика, помещенного в электрическое поле, — поляризация. Поляризация протекает по-разному, в зависимости от вида химической связи в веществе диэлектрика. Так, например, в алмазе химическая связь ковалентная, и поляризация происходит лишь благодаря деформации электронных атомных оболочек в электрическом поле. В ионных кристаллах, таких, как каменная соль, в электрическом поле сдвигаются относительно друг друга ионы. В них происходит и деформация электронных оболочек, но это явлениевносит незначительный вклад в полную поляризацию ионного кристалла по сравнению с вкладом ионов. Удельное сопротивление выше удельного сопротивления проводников.

Использование.

Используются для изоляции элементов электротехнических устройств. В квантовой электронике из диэлектрических материалов изготавливают основные элементы квантовых генераторов; широко используются в оптике. Использование в конденсаторах.

Справочник для школьника. Физика.

Стр. 231-233

4.Ток в металлах и проводниках.

Экспериментально показано, что в металлах ионы не принимают участия в перенесении электрических зарядов, так как в противном случае электрический ток обязательно сопровождался бы переносом материала, что не наблюдалась. В опытах с инерцией электронов было установлено, что электрический ток в металлах обусловлен упорядоченным движением свободных электронов.

Если внутри металла нет электрического тока, то электроны проводимости совершают беспорядочное движение (тепловое): в каждый момент времени они имеют неодинаковые скорости и различные направления.

Суммарный заряд, проходящий через любую площадку внутри металла, в отсутствие внешнего поля равен нулю. Если к концам проводника присоединить разность потенциалов, т.е. создать внутри проводника поле напряженностью Э, то на каждый электрон будет действовать сила, направленная противоположно полю. В результате возникает электрический ток. На основании представлений об электрическом газе легко объясняется большая теплопроводимость металлов. В самом деле, свободные электроны, участвуя в тепловом движении и обладая большой подвижностью, будут способствовать выравниванию различий в температуре тела.

В металлах концентрация электронов проводимости почти не зависит от температуры. Существует группа материалов, в которых электрический ток также обусловлен перемещением свободных электронов, однако концентрация этих электронов зависит от температуры: удельное сопротивление таких материалов при понижении температуры сильно возрастает, а при повышении температуры – значительно уменьшается. Такие материалы являются электронными проводниками. К полупроводником относятся: кремний, германий, селен и многие соединения металлов с серой, селеном, теллуром, а также некоторые органические соединения. В полупроводниках, как и в металлах, при прохождении тока не происходит никаких химических изменений. Это свидетельствует о том, что ионы не принимают участия в перенесении зарядов.

Для того чтобы увеличить концентрацию свободных электронов в полупроводниках, необходимо затратить некоторую энергию для отрыва связанных электронов. Её называют энергией ионизации. При повышении температуры увеличивается количество электронов с тепловой энергией, превышающей, т.е. растёт доля свободных электронов.

Справочник для школьника. Физика.

Стр. 239

Словарь юного физика.

Стр. 241-242

5.Сверхпроводники.

Нидерландский ученый Г. Камерлинг-Оннес в 1911 году, исследуя электропроводимость ртути при очень низких температурах, обнаружил явление сверхпроводимости. Оно состоит в том, что вблизи абсолютного нуля температура сопротивления ртути, свинца, цинка, алюминия и некоторых других чистых металлов и сплавов скачком уменьшается до нуля. Ток, возникший в замкнутом сверхпроводящем кольце, не исчезает в течение многих часов. Однако в сильных магнитныхполях сверхпроводимость разрушается. При переходе в сверхпроводящее состояние основные механические и оптические свойства, а также коэффициент теплового расширения не изменяются.

Словарь юного физика.

Стр. 241

6.Электрический разряд в газах.

Все газы в естественном состоянии не проводят электрического тока. В чем можно убедиться из следующего опыта:

Возьмем электрометр с присоединенными к нему дисками плоского конденсатора и зарядим его. При комнатной температуре, если воздух достаточно сухой, конденсатор заметно не разряжается – положение стрелки электрометра не изменяется. Чтобы заметить уменьшение угла отклонения стрелки электрометра, требуется длительное время. Это показывает, что электрический ток в воздухе между дисками очень мал. Данный опыт показывает, что воздух является плохим проводником электрического тока.

Видоизменим опыт: нагреем воздух между дисками пламенем спиртовки. Тогда угол отклонения стрелки электрометра быстро уменьшается, т.е. уменьшается разность потенциалов между дисками конденсатора – конденсатор разряжается. Следовательно, нагретый воздух между дисками стал проводником, и в нем устанавливается электрический ток.

Изолирующие свойства газов объясняются тем, что в них нет свободных электрических зарядов: атомы и молекулы газов в естественном состоянии являются нейтральными.

Ионизация газов.

Вышеописанный опыт показывает, что в газах под влиянием высокой температуры появляются заряженные частицы. Они возникают вследствие отщепления от атомов газа одного или нескольких электронов, в результате чего вместо нейтрального атома возникают положительный ион и электроны. Часть образовавшихся электронов может быть при этом захвачена другими нейтральными атомами, и тогда появятся еще отрицательные ионы. Распад молекул газа на электроны и положительные ионы называется ионизацией газов.

Нагревание газа до высокой температуры не является единственным способом ионизации молекул или атомов газа. Ионизация газа может происходить под влиянием различных внешних взаимодействий: сильного нагрева газа, рентгеновских лучей, a-, b- и g-лучей, возникающих при радиоактивном распаде, космических лучей, бомбардировки молекул газа быстро движущимися электронами или ионами. Факторы, вызывающие ионизацию газа называются ионизаторами. Количественной характеристикой процесса ионизации служит интенсивность ионизации, измеряемая числом пар противоположных по знаку заряженных частиц, возникающих в единице объема газа за единицу времени.

Ионизация атома требует затраты определенной энергии – энергии ионизации. Для ионизации атома (или молекулы) необходимо совершить работу против сил взаимодействия между вырываемым электроном и остальными частицами атома (или молекулы). Эта работа называется работой ионизации Ai. Величина работы ионизации зависит от химической природы газа и энергетического состояния вырываемого электрона в атоме или молекуле.

После прекращения действия ионизатора количество ионов в газе с течением времени уменьшается и в конце концов ионы исчезают вовсе. Исчезновение ионов объясняется тем, что ионы и электроны участвуют в тепловом движении и поэтому соударяются друг с другом. При столкновении положительного иона и электрона они могут воссоединиться в нейтральный атом. Точно также при столкновении положительного и отрицательного ионов отрицательный ион может отдать свой избыточный электрон положительному иону и оба иона превратятся в нейтральные атомы. Этот процесс взаимной нейтрализации ионов называется рекомбинацией ионов. При рекомбинации положительного иона и электрона или двух ионов освобождается определенная энергия, равная энергии, затраченной на ионизацию. Частично она излучается в виде света, и поэтому рекомбинация ионов сопровождается свечением (свечение рекомбинации).

В явлениях электрического разряда в газах большую роль играет ионизация атомов электронными ударами. Этот процесс заключается в том, что движущийся электрон, обладающий достаточной кинетической энергией, при соударении с нейтральным атомом выбивает из него один или несколько атомных электронов, в результате чего нейтральный атом превращается в положительный ион, а в газе появляются новые электроны (об этом будет рассмотрено позднее).

Механизм проводимости газов похож на механизм проводимости растворов и расплавов электролитов. При отсутствии внешнего поля заряженные частицы, как и нейтральные молекулы движутся хаотически. Если ионы и свободные электроны оказываются во внешнем электрическом поле, то они приходят в направленное движение и создают электрический ток в газах.

Таким образом, электрический ток в газе представляет собой направленное движение положительных ионов к катоду, а отрицательных ионов и электронов к аноду. Полный ток в газе складывается из двух потоков

заряженных частиц: потока, идущего к аноду, и потока, направленного к катоду.

Несамостоятельный газовый разряд.

Процесс прохождения электрического тока через газ называется газовым разрядом. Если электропроводность газа создается внешними ионизаторами, то электрический ток, возникающий в нем, называется несамостоятельным газовым разрядом. С прекращением действия внешних ионизаторов несамостоятельный разряд прекращается. Несамостоятельный газовый разряд не сопровождается свечением газа.

Самостоятельный газовый разряд.

Электрический разряд в газе, сохраняющийся после прекращения действия внешнего ионизатора, называется самостоятельным газовым разрядом. Для его осуществления необходимо, чтобы в результате самого разряда в газе непрерывно образовывались свободные заряды. Основным источником их возникновения является ударная ионизация молекул газа.

Если после достижения насыщения продолжать увеличивать разность потенциалов между электродами, то сила тока при достаточно большом напряжении станет резко возрастать.

Это означает, что в газе появляются дополнительные ионы, которые образуются за счет действия ионизатора. Сила тока может возрасти в сотни и тысячи раз, а число заряженных частиц, возникающих в процессе разряда, может стать таким большим, что внешний ионизатор будет уже не нужен для поддержания разряда.

Положительные ионы, образовавшиеся при столкновении электронов с нейтральными атомами, при своем движении к катоду приобретают под действием поля большую кинетическую энергию. При ударах таких быстрых ионов о катод с поверхности катода выбиваются электроны.

Кроме того, катод может испускать электроны при нагревании до большой температуры. Этот процесс называется термоэлектронной эмиссией. Его можно рассматривать как испарение электронов из металла. Во многих твердых веществах термоэлектронная эмиссия происходит при температурах, при которых испарение самого вещества еще мало. Такие вещества и используются для изготовления катодов.

При самостоятельном разряде нагрев катода может происходить за счет бомбардировки его положительными ионами. Если энергия ионов не слишком велика, то выбивания электронов с катода не происходит и электроны испускаются вследствие термоэлектронной эмиссии.

Различные типы самостоятельного разряда и их техническое применение.

В зависимости от свойств и состояния газа, характера и расположения электродов, а также от приложенного к электродам напряжения возникают различные виды самостоятельного разряда. Рассмотрим несколько из них.

Тлеющий разряд.

Тлеющий разряд наблюдается в газах при низких давлениях порядка нескольких десятков миллиметров ртутного столба и меньше. Если рассмотреть трубку с тлеющим разрядом, то можно увидеть, что основными частями тлеющего разряда являются катодное темное пространство, резко отдаленное от него отрицательное, или тлеющее свечение, которое постепенно переходит в область фарадеева темного пространства. Эти три области образуют катодную часть разряда, за которой следует основная светящаяся часть разряда, определяющая его оптические свойства и называемая положительным столбом.

Основную роль в поддержании тлеющего разряда играют первые две области его катодной части. Характерной особенностью этого типа разряда является резкое падение потенциала вблизи катода, которое связано с большой концентрацией положительных ионов на границе I и II областей, обусловленной сравнительно малой скоростью движения ионов у катоду. В катодном темном пространстве происходит сильное ускорение электронов и положительных ионов, выбивающих электроны из катода. В области тлеющего свечения электроны производят интенсивную ударную ионизацию молекул газа и теряют свою энергию. Здесь образуются положительные ионы, необходимые для поддержания разряда. Напряженность электрического поля в этой области мала. Тлеющее свечение в основном вызывается рекомбинацией ионов и электронов. Протяженность катодного темного пространства определяется свойствами газа и материала катода.

В области положительного столба концентрация электронов и ионов приблизительно одинакова и очень велика, что обуславливает большую электропроводность положительного столба и незначительное падение в нем потенциала. Свечение положительного столба определяется свечением возбужденных молекул газа. Вблизи анода вновь наблюдается сравнительно резкое изменение потенциала, связанное с процессом генерации положительных ионов. В ряде случаев положительный столб распадается на отдельные светящиеся участки – страты, разделенные темными промежутками.

Положительный столб не играет существенной роли в поддержании тлеющего разряда, поэтому при уменьшении расстояния между электродами трубки длина положительного столба сокращается и он может исчезнуть совсем. Иначе обстоит дело с длиной катодного темного пространства, которая при сближении электродов не изменяется. Если электроды сблизились настолько, что расстояние между ними станет меньше длины катодного темного пространства, то тлеющий разряд в газе прекратится. Опыты показывают, что при прочих равных условиях длина d катодного темного пространства обратно пропорциональна давлению газа. Следовательно, при достаточно низких давлениях электроны, выбиваемые из катода положительными ионами, проходят через газ почти без столкновений с его молекулами, образуя электронные, или катодные лучи.

Тлеющий разряд используется в газосветных трубках, лампах дневного света, стабилизаторах напряжения, для получения электронных и ионных пучков. Если в катоде сделать щель, то сквозь нее в пространство за катодом проходят узкие ионные пучки, часто называемые каналовыми лучами. Широко используется явление катодного распыления, т.е. разрушение поверхности катода под действием ударяющихся о него положительных ионов. Ультрамикроскопические осколки материала катода летят во все стороны по прямым линиям и покрывают тонким слоем поверхность тел (особенно диэлектриков), помещенных в трубку.Таким способом изготовляют зеркала для ряда приборов, наносят тонкий слой металла на селеновые фотоэлементы.

Коронный разряд.

Коронный разряд возникает при нормальном давлении в газе, находящемся в сильно неоднородном электрическом поле (например, около остриев или проводов линий высокого напряжения). При коронном разряде ионизация газа и его свечение происходят лишь вблизи коронирующих электродов. В случае коронирования катода (отрицательная корона) электроны, вызывающие ударную ионизацию молекул газа, выбиваются из катода при бомбардировке его положительными ионами. Если коронируют анод (положительная корона), то рождение электронов происходит вследствие фотоионизации газа вблизи анода. Корона – вредное явление, сопровождающееся утечкой тока и потерей электрической энергии. Для уменьшения коронирования увеличивают радиус кривизны проводников, а их поверхность делают возможно более гладкой. При достаточно высоком напряжении между электродами коронный разряд переходит в искровой.

При повышенном напряжении коронный разряд на острие приобретает вид исходящих из острия и перемежающихся во времени светлых линий. Эти линии, имеющие ряд изломов и изгибов, образуют подобие кисти, вследствие чего такой разряд называют кистевым.

Заряженное грозовое облако индуцирует на поверхности Земли под собой электрические заряды противоположного знака. Особенно большой заряд скапливается на остриях. Поэтому перед грозой или во время грозы нередко на остриях и острых углах высоко поднятых предметов вспыхивают похожие на кисточки конусы света. С давних времен это свечение называют огнями святого Эльма.

Особенно часто свидетелями этого явления становятся альпинисты. Иногда даже не только металлические предметы, но и кончики волос на голове украшаются маленькими светящимися кисточками.

С коронным разрядом приходится считаться, имея дело с высоким напряжением. При наличии выступающих частей или очень тонких проводов может начаться коронный разряд. Это приводит к утечке электроэнергии. Чем выше напряжение высоковольтной линии, тем толще должны быть провода.

Искровой разряд.

Искровой разряд имеет вид ярких зигзагообразных разветвляющихся нитей-каналов, которые пронизывают разрядный промежуток и исчезают, сменяясь новыми. Исследования показали, что каналы искрового разряда начинают расти иногда от положительного электрода, иногда от отрицательного, а иногда и от какой-нибудь точки между электродами. Это объясняется тем, что ионизация ударом в случае искрового разряда происходит не по всему объему газа, а по отдельным каналам, проходящим втех местах, в которых концентрация ионов случайно оказалась наибольшей. Искровой разряд сопровождается выделением большого количества теплоты, ярким свечением газа, треском или громом. Все эти явления вызываются электронными и ионными лавинами, которые возникают в искровых каналах и приводят к огромному увеличению давления, достигающему 10108 Па, и повышению температуры до 10000 °С.

Характерным примером искрового разряда является молния. Главный канал молнии имеет диаметр от 10 до 25 см., а длина молнии может достигать нескольких километров. Максимальная сила тока импульса молнии достигает десятков и сотен тысяч ампер.

При малой длине разрядного промежутка искровой разряд вызывает специфическое разрушение анода, называемое эрозией. Это явление было использовано в электроискровом методе резки, сверления и других видах точной обработки металла.

Искровой промежуток применяется в качестве предохранителя от перенапряжения в электрических линиях передач (например, в телефонных линиях). Если вблизи линии проходит сильный кратковременный ток, то в проводах этой линии индуцируются напряжении и токи, которые могут разрушить электрическую установку и опасны для жизни людей. Во избежание этого используются специальные предохранители, состоящие из двух изогнутых электродов, один из которых присоединен к линии, а другой заземлен. Если потенциал линии относительно земли сильно возрастает, то между электродами возникает искровой разряд, который вместе с нагретым имвоздухом поднимается вверх, удлиняется и обрывается.

Наконец, электрическая искра применяется для измерения больших разностей потенциалов с помощью шарового разрядника, электродами которого служат два металлических шара с полированной поверхностью. Шары раздвигают, и на них подается измеряемая разность потенциалов. Затем шары сближают до тех пор, пока между ними не проскочит искра. Зная диаметр шаров, расстояние между ними, давление, температуру и влажность воздуха, находят разность потенциалов между шарами по специальным таблицам. Этим методом можно измерять с точностью до нескольких процентов разности потенциалов порядка десятков тысяч вольт.

Дуговой разряд.

Дуговой разряд был открыт В. В. Петровым в 1802 году. Этот разряд представляет собой одну из форм газового разряда, осуществляющуюся при большой плотности тока и сравнительно небольшом напряжении между электродами (порядка нескольких десятков вольт). Основной причиной дугового разряда является интенсивное испускание термоэлектронов раскаленным катодом.Эти электроны ускоряются электрическим полем и производят ударную ионизацию молекул газа, благодаря чему электрическое сопротивление газового промежутка между электродами сравнительно мало. Если уменьшить сопротивление внешней цепи, увеличить силу тока дугового разряда, то проводимость газового промежутка столь сильно возрастет, что напряжение между электродами уменьшается. Поэтому говорят, что дуговой разряд имеет падающую вольт — амперную характеристику. При атмосферном давлении температура катода достигает 3000 °C. Электроны, бомбардируя анод, создают в нем углубление (кратер) и нагревают его. Температура кратера около 4000 °С , а при больших давлениях воздуха достигает 6000-7000 °С. Температура газа в канале дугового разряда достигает 5000-6000 °С, поэтому в нем происходит интенсивная термоионизация.

В ряде случаев дуговой разряд наблюдается и при сравнительно низкой температуре катода (например, в ртутной дуговой лампе).

В 1876 году П. Н. Яблочков впервые использовал электрическую дугу как источник света. В “свече Яблочкова” угли были расположены параллельно и разделены изогнутой прослойкой, а их концы соединены проводящим “запальным мостиком”. Когда ток включался, запальный мостик сгорал и между углями образовывалась электрическая дуга. По мере сгорания углей изолирующая прослойка испарялась.

Дуговой разряд применяется как источник света и в наши дни, например в прожекторах и проекционных аппаратах.

Высокая температура дугового разряда позволяет использовать его для устройства дуговой печи. В настоящее время дуговые печи, питаемые током очень большой силы, применяются в ряде областей промышленности: для выплавки стали, чугуна, ферросплавов, бронзы, получения карбида кальция, окиси азота и т.д.

В 1882 году Н. Н. Бенардосом дуговой разряд впервые был использован для резки и сварки металла. Дуговой разряд нашел применение в ртутном выпрямителе, преобразующем переменный электрический ток в ток постоянного направления.

Плазма.

Плазма – это частично или полностью ионизованный газ, в котором плотности положительных и отрицательных зарядов практически одинаковы. Таким образом, плазма в целом является электрически нейтральной системой.

Количественной характеристикой плазмы является степень ионизации. Степенью ионизации плазмы a называют отношение объемной концентрации заряженных частиц к общей объемной концентрации частиц. В зависимости от степени ионизации плазма подразделяется на слабо ионизованную (a составляет доли процентов), частично ионизованную (a порядка нескольких процентов) и полностью ионизованную (a близка к 100%). Слабо ионизованной плазмой в природных условиях являются верхние слои атмосферы – ионосфера. Солнце, горячие звезды и некоторые межзвездные облака – это полностью ионизованная плазма, которая образуется при высокой температуре.

Средние энергии различных типов частиц, составляющих плазму, могут значительно отличаться одна от другой. Поэтому плазму нельзя охарактеризовать одним значением температуры Т; различают электронную температуру Те, ионную температуру Тi (или ионные температуры, если в плазме имеются ионы нескольких сортов) и температуру нейтральных атомов Тa (нейтральной компоненты). Подобная плазма называется неизотермической, в отличие от изотермической плазмы, в которой температуры всех компонентов одинаковы.

Плазма также разделяется на высокотемпературную и низкотемпературную!!! Это условное разделение связано с особой влажностью высокотемпературной плазмы в связи с проблемой осуществления управляемого термоядерного синтеза.

Плазма обладает рядом специфических свойств, что позволяет рассматривать ее как особое четвертое состояние вещества.

Из-за большой подвижности заряженный частицы плазмы легко перемещаются под действием электрических и магнитных полей. Поэтому любое нарушение электрической нейтральности отдельных областей плазмы, вызванное скоплением частиц одного знака заряда, быстро ликвидируется. Возникающие электрические поля перемещают заряженные частицы до тех пор, пока электрическая нейтральность не восстановится и электрическое поле не станет равным нулю. В отличие отнейтрального газа, между молекулами которого существуют короткодействующие силы, между заряженными частицами плазмы действуют кулоновские силы, сравнительно медленные убывающие с расстоянием. Каждая частица взаимодействует сразу с большим количеством окружающих частиц. Благодаря этому наряду с хаотическим тепловым движением частицы плазмы могут участвовать в разнообразных упорядоченных движениях. В плазме легко возбуждаются разного рода колебания и волны.

Проводимость плазмы увеличивается по мере роста степени ионизации. При высокой температуре полностью ионизованная плазма по своей проводимости приближается к сверхпроводникам.

Низкотемпературная плазма применяется в газоразрядных источниках света – в светящихся трубках рекламных надписей, в лампах дневного света. Газоразрядную лампу используют во многих приборах, например, в газовых лазерах – квантовых источниках света.

Высокотемпературная плазма применяется в магнитогидродинамических генераторах.

Недавно был создан новый прибор – плазмотрон. В плазмотроне создаются мощные струи плотной низкотемпературной плазмы, широко применяемые в различных областях техники: для резки и сварки металлов, бурения скважин в твердых породах и т.д.

Курс физики “электричество и магнетизм”

Стр. 264-285

Метод. пособие по физики.

7.Литература:

а) Курс физики. Л. С. Жданов, В. А. Маранджян

б) Электричество и Человек. В. Е. Манойлов 1988 г.

в) Методическое пособие по физике.

г) Курс физики “электричество и магнетизм”

д) Словарь юного физика. 1994 г.

е) Электричество С. Г. Калашников. 1977 г.

ж) Лекции по эл. свойствам материалов. 1991 г.

з) Справочник для школьника. Физика.

и) Энциклопедия для детей. Физика.

From Wikipedia, the free encyclopedia

Charge transport mechanisms are theoretical models that aim to quantitatively describe the electric current flow through a given medium.

Theory[edit]

Crystalline solids and molecular solids are two opposite extreme cases of materials that exhibit substantially different transport mechanisms. While in atomic solids transport is intra-molecular, also known as band transport, in molecular solids the transport is inter-molecular, also known as hopping transport. The two different mechanisms result in different charge mobilities.

In disordered solids, disordered potentials result in weak localization effects (traps), which reduce the mean free path, and hence the mobility, of mobile charges. Carrier recombination also decreases mobility.

Comparison between band transport and hopping transport

Parameter Band transport (ballistic transport) Hopping transport
Examples crystalline semiconductors disordered solids, polycrystalline and amorphous semiconductors
Underlying mechanism Delocalized molecular wavefunctions over the entire volume Transition between localized sites via tunnelling (electrons) or overcoming potential barriers (ions)
Inter-site distance Bond length (less than 1 nm) Typically more than 1 nm
Mean free path Larger than the inter-site distance Inter-site distance
Mobility Typically larger than 1 cm2/Vs; independent of electric field; decreases with increasing temperature Typically smaller than 0.01 cm2/Vs; depends on electric field; increases with increasing temperature

Starting with Ohm’s law and using the definition of conductivity, it is possible to derive the following common expression for current as a function of carrier mobility μ and applied electric field E:

{displaystyle I=GV=sigma {frac {A}{ell }}V=sigma AE=enmu AE}

The relationship {displaystyle sigma =enmu } holds when the concentration of localized states is significantly higher than the concentration of charge carriers, and assuming that hopping events are independent from each other.

Generally, the carrier mobility μ depends on temperature T, on the applied electric field E, and the concentration of localized states N. Depending on the model, increased temperature may either increase or decrease carrier mobility, applied electric field can increase mobility by contributing to thermal ionization of trapped charges, and increased concentration of localized states increases the mobility as well. Charge transport in the same material may have to be described by different models, depending on the applied field and temperature.[1]

Concentration of localized states[edit]

Carrier mobility strongly depends on the concentration of localized states in a non-linear fashion.[2] In the case of nearest-neighbour hopping, which is the limit of low concentrations, the following expression can be fitted to the experimental results:[3]

{displaystyle mu propto exp left(-{frac {2}{alpha N_{0}^{1/3}}}right)}

where N_{0} is the concentration and alpha is the localization length of the localized states. This equation is characteristic of incoherent hopping transport, which takes place at low concentrations, where the limiting factor is the exponential decay of hopping probability with inter-site distance.[4]

Sometimes this relation is expressed for conductivity, rather than mobility:

{displaystyle sigma =sigma _{0}exp left(-{frac {gamma }{alpha N_{0}^{1/3}}}right)}

where N_{0} is the concentration of randomly distributed sites, sigma _{0} is concentration independent, alpha is the localization radius, and gamma is a numerical coefficient.[4]

At high concentrations, a deviation from the nearest-neighbour model is observed, and variable-range hopping is used instead to describe transport. Variable range hopping can be used to describe disordered systems such as molecularly-doped polymers, low molecular weight glasses and conjugated polymers.[3] In the limit of very dilute systems, the nearest-neighbour dependence {displaystyle ln sigma propto -gamma alpha ^{-1}N_{0}^{-1/3}} is valid, but only with {displaystyle gamma simeq 1.73}.[3]

Temperature dependence[edit]

At low carrier densities, the Mott formula for temperature-dependent conductivity is used to describe hopping transport.[3] In variable hopping it is given by:

{displaystyle sigma =sigma _{0}exp left[-left({frac {T_{0}}{T}}right)^{frac {1}{4}}right]}

where T_{0} is a parameter signifying a characteristic temperature.
For low temperatures, assuming a parabolic shape of the density of states near the Fermi level, the conductivity is given by:

{displaystyle sigma =sigma _{0}exp left[-left({frac {{tilde {T}}_{0}}{T}}right)^{frac {1}{2}}right]}

At high carrier densities, an Arrhenius dependence is observed:[3]

{displaystyle sigma =sigma _{0}exp left(-{frac {E_{a}}{k_{text{B}}T}}right)}

In fact, the electrical conductivity of disordered materials under DC bias has a similar form for a large temperature range, also known as activated conduction:

{displaystyle sigma =sigma _{0}exp left[-left({frac {E_{a}}{k_{text{B}}T}}right)^{beta }right]}

Applied electric field[edit]

High electric fields cause an increase in the observed mobility:

{displaystyle mu propto exp left({sqrt {E}}right)}

It was shown that this relationship holds for a large range of field strengths.[5]

AC conductivity[edit]

The real and imaginary parts of the AC conductivity for a large range of disordered semiconductors has the following form:[6][7]

{displaystyle Re sigma (omega )=Comega ^{s}}
{displaystyle Im sigma (omega )=Ctan {frac {pi s}{2}}omega ^{s}}

where C is a constant and s is usually smaller than unity.[4]

In its original version[8][9] the random barrier model (RBM) for AC conductivity in disordered solids predicted

{displaystyle sigma (omega )=sigma _{0}{frac {iomega tau }{ln(1+iomega tau )}},.}

Here sigma _{0}is the DC conductivity and tau is the characteristic time (inverse frequency) of onset of AC conductivity. Based on the almost exact Alexander-Orbach conjecture for the harmonic dimension of the percolation cluster,[10] the following more accurate representation of the RBM AC conductivity was given in 2008[11]

{displaystyle ln {tilde {sigma }}=({i{tilde {omega }}}/{tilde {sigma }})^{2/3}}

in which {displaystyle {tilde {sigma }}=sigma (omega )/sigma _{0}}and {tilde  omega } is a scaled frequency.

Ionic conduction[edit]

Similar to electron conduction, the electrical resistance of thin-film electrolytes depends on the applied electric field, such that when the thickness of the sample is reduced, the conductivity improves due to both the reduced thickness and the field-induced conductivity enhancement. The field dependence of the current density j through an ionic conductor, assuming a random walk model with independent ions under a periodic potential is given by:[12]

{displaystyle jpropto sinh left({frac {alpha eE}{2k_{text{B}}T}}right)}

where α is the inter-site separation.

Experimental determination of transport mechanisms[edit]

Characterization of transport properties requires fabricating a device and measuring its current-voltage characteristics. Devices for transport studies are typically fabricated by thin film deposition or break junctions. The dominant transport mechanism in a measured device can be determined by differential conductance analysis. In the differential form, the transport mechanism can be distinguished based on the voltage and temperature dependence of the current through the device.[13]

Electronic transport mechanisms[13]

Transport mechanism Effect of electric field Functional form Differential form
Fowler-Nordheim tunneling (field emission)a {displaystyle I=A_{text{eff}}{frac {e^{3}m}{8pi hmphi _{text{B}}}}E^{2}exp left(-{frac {8pi {sqrt {2m}}}{3he}}{frac {phi _{text{B}}^{3/2}}{E}}right)} {displaystyle {frac {mathrm {d} ln I}{mathrm {d} V}}={frac {1}{V}}+{frac {4pi }{3he}}{sqrt {2m}}{frac {phi _{text{B}}^{3/2}}{V^{2}}}}
Thermionic emissionb Lowers barrier height {displaystyle I=A_{text{eff}}A^{star }T^{2}exp left[-{frac {e}{k_{text{B}}T}}left(phi _{text{B}}-{sqrt {frac {eE}{4pi epsilon _{0}epsilon _{r}}}}right)right]} {displaystyle {frac {mathrm {d} ln I}{mathrm {d} V}}={frac {e}{4k_{text{B}}T}}left({frac {e}{pi epsilon _{0}epsilon _{r}}}right)^{frac {1}{2}}V^{-{frac {1}{2}}}}
Arrhenius equationc {displaystyle I=emu nEexp left(-{frac {E_{a}}{k_{text{B}}T}}right)} {displaystyle {frac {mathrm {d} ln I}{mathrm {d} E}}={frac {1}{E}}}
Poole–Frenkel hopping Assists thermal ionization of trapped charges {displaystyle I=emu nEexp left[-{frac {e}{k_{text{B}}T}}left(phi _{text{B}}-{sqrt {frac {eE}{4pi epsilon _{0}epsilon _{r}}}}right)right]} {displaystyle {frac {mathrm {d} ln I}{mathrm {d} E}}={frac {1}{E}}+{frac {e}{4k_{text{B}}T}}left({frac {e}{pi epsilon _{0}epsilon _{r}}}right)^{frac {1}{2}}E^{-{frac {1}{2}}}}
Thermally-assisted tunnelingd {displaystyle I={frac {V}{2pi }}left({frac {k_{text{B}}Tt}{2pi }}right)^{frac {1}{2}}exp left(-{frac {phi }{k_{text{B}}T}}+{frac {V^{2}Theta }{24left(k_{text{B}}Tright)^{3}}}right)} {displaystyle {frac {mathrm {d} ln I}{mathrm {d} V}}={frac {1}{V}}+{frac {VTheta }{12left(k_{text{B}}Tright)^{3}}}}
^a I is the measured current, V is the applied voltage, {displaystyle A_{text{eff}}} is the effective contact area, h is Planck’s constant, {displaystyle phi _{text{B}}} is the barrier height, E is the applied electric field, m is the effective mass.
^b {displaystyle A^{star }} is Richardson’s constant, T is the temperature, k_{text{B}} is Boltzmann’s constant, epsilon _{0} and epsilon_r are the vacuum the relative permittivity, respectively.
^c E_{a} is the activation energy.
^d {displaystyle t=t(y)} is an elliptical function; Theta is a function of t, the applied field and the barrier height.

It is common to express the mobility as a product of two terms, a field-independent term and a field-dependent term:

{displaystyle mu =mu _{0}exp left(-{frac {phi }{k_{text{B}}T}}right)exp left({frac {beta {sqrt {E}}}{k_{text{B}}T}}right)}

where phi is the activation energy and β is model-dependent. For Poole–Frenkel hopping, for example,

{displaystyle beta _{text{PF}}={sqrt {frac {e^{3}}{pi epsilon _{0}epsilon _{r}}}}}

Tunneling and thermionic emission are typically observed when the barrier height is low.
Thermally-assisted tunneling is a «hybrid» mechanism that attempts to describe a range of simultaneous behaviours, from tunneling to thermionic emission.[14][15]

See also[edit]

  • Electron transfer

Further reading[edit]

  • Nevill Francis Mott; Edward A Davis (2 February 2012). Electronic Processes in Non-Crystalline Materials (2nd ed.). OUP Oxford. ISBN 978-0-19-102328-6.
  • Sergei Baranovski, ed. (22 September 2006). Charge Transport in Disordered Solids with Applications in Electronics. Wiley. ISBN 978-0-470-09504-1.
  • B.I. Shklovskii; A.L. Efros (9 November 2013). Electronic Properties of Doped Semiconductors. Solid-State Sciences. Vol. 45. Springer Science & Business Media. ISBN 978-3-662-02403-4.
  • Harald Overhof; Peter Thomas (11 April 2006). Electronic Transport in Hydrogenated Amorphous Semiconductors. Springer Tracts in Modern Physics. Vol. 114. Springer Berlin Heidelberg. ISBN 978-3-540-45948-4.
  • Martin Pope; Charles E. Swenberg (1999). Electronic Processes in Organic Crystals and Polymers. Oxford University Press. ISBN 978-0-19-512963-2.

References[edit]

  1. ^ Bof Bufon, Carlos C.; Vervacke, Céline; Thurmer, Dominic J.; Fronk, Michael; Salvan, Georgeta; Lindner, Susi; Knupfer, Martin; Zahn, Dietrich R. T.; Schmidt, Oliver G. (2014). «Determination of the Charge Transport Mechanisms in Ultrathin Copper Phthalocyanine Vertical Heterojunctions». The Journal of Physical Chemistry C. 118 (14): 7272–7279. doi:10.1021/jp409617r. ISSN 1932-7447.
  2. ^ Gill, W. D. (1972). «Drift mobilities in amorphous charge‐transfer complexes of trinitrofluorenone and poly‐n‐vinylcarbazole». Journal of Applied Physics. 43 (12): 5033–5040. doi:10.1063/1.1661065. ISSN 0021-8979.
  3. ^ a b c d e Sergei Baranovski; Oleg Rubel (14 August 2006). «Description of Charge Transport in Disordered Organic Materials». In Sergei Baranovski (ed.). Charge Transport in Disordered Solids with Applications in Electronics. Materials for Electronic & Optoelectronic Applications. John Wiley & Sons. pp. 221–266. ISBN 978-0-470-09505-8.
  4. ^ a b c Sergei Baranovski; Oleg Rubel (14 August 2006). «Description of Charge Transport in Amorphous Semiconductors». In Sergei Baranovski (ed.). Charge Transport in Disordered Solids with Applications in Electronics. Materials for Electronic & Optoelectronic Applications. John Wiley & Sons. pp. 49–96. ISBN 978-0-470-09505-8.
  5. ^ Van der Auweraer, Mark; De Schryver, Frans C.; Borsenberger, Paul M.; Bässler, Heinz (1994). «Disorder in Charge Transport in doped polymers». Advanced Materials. 6 (3): 199–213. doi:10.1002/adma.19940060304. ISSN 0935-9648.
  6. ^ Jonscher, A. K. (June 1977). «The ‘universal’ dielectric response». Nature. 267 (5613): 673–679. doi:10.1038/267673a0. ISSN 0028-0836. S2CID 4179723.
  7. ^ Igor Zvyagin (14 August 2006). «AC Hopping Transport in Disordered Materials». In Sergei Baranovski (ed.). Charge Transport in Disordered Solids with Applications in Electronics. Materials for Electronic & Optoelectronic Applications. John Wiley & Sons. pp. 339–377. ISBN 978-0-470-09505-8.
  8. ^ Dyre, Jeppe C. (1988). «The random free‐energy barrier model for ac conduction in disordered solids». Journal of Applied Physics. 64 (5): 2456–2468. doi:10.1063/1.341681. ISSN 0021-8979.
  9. ^ Dyre, Jeppe C.; Schrøder, Thomas B. (2000). «Universality of ac conduction in disordered solids». Reviews of Modern Physics. 72 (3): 873–892. doi:10.1103/RevModPhys.72.873. ISSN 0034-6861.
  10. ^ Alexander, S.; Orbach, R. (1982). «Density of states on fractals : » fractons ««. Journal de Physique Lettres. 43 (17): 625–631. doi:10.1051/jphyslet:019820043017062500. ISSN 0302-072X.
  11. ^ Schrøder, Thomas B.; Dyre, Jeppe C. (2008). «ac Hopping Conduction at Extreme Disorder Takes Place on the Percolating Cluster». Physical Review Letters. 101 (2): 025901. doi:10.1103/PhysRevLett.101.025901. PMID 18764199.
  12. ^ Bernhard Roling (14 August 2006). «Mechanisms of Ion Transport in Amorphous and Nanostructured Materials». In Sergei Baranovski (ed.). Charge Transport in Disordered Solids with Applications in Electronics. Materials for Electronic & Optoelectronic Applications. John Wiley & Sons. pp. 379–401. ISBN 978-0-470-09505-8.
  13. ^ a b Conklin, David; Nanayakkara, Sanjini; Park, Tae-Hong; Lagadec, Marie F.; Stecher, Joshua T.; Therien, Michael J.; Bonnell, Dawn A. (2012). «Electronic Transport in Porphyrin Supermolecule-Gold Nanoparticle Assemblies». Nano Letters. 12 (5): 2414–2419. doi:10.1021/nl300400a. ISSN 1530-6984. PMID 22545580.
  14. ^ Murphy, E. L.; Good, R. H. (1956). «Thermionic Emission, Field Emission, and the Transition Region». Physical Review. 102 (6): 1464–1473. doi:10.1103/PhysRev.102.1464. ISSN 0031-899X.
  15. ^ Polanco, J. I.; Roberts, G. G. (1972). «Thermally assisted tunnelling in dielectric films (II)». Physica Status Solidi A. 13 (2): 603–606. doi:10.1002/pssa.2210130231. ISSN 0031-8965.

Перенос — электрический заряд

Cтраница 1

Перенос электрических зарядов в конечном итоге не обнаруживается. Вследствие такой строгой связи потоков противоионов между собой кинетические свойства системы могут быть рассчитаны только из одного уравнения потока для ионов А или В.
 [1]

Перенос электрических зарядов транспортируемым потоком принято называть током потока.
 [2]

Перенос электрических зарядов в веществе под действием внешнего электрического поля характеризуется удельной объемной электропроводностью у. При анализе возможных физических моделей прохождения электрического тока через полимеры, а также при использовании этих материалов важно знать зависимости силы тока i или плотности тока / от времени воздействия т и напряженности Е электрического поля, температуры, состава, строения, размеров и формы материала. Следует отметить, что прохождение электрического тока через вещество связано с развитием таких фундаментальных процессов, как диссоциация и ионизация молекул и атомов, рекомбинация носителей, процесс направленной диффузии заряженных частиц в электрическом поле, передача или переход зарядов через границу раздела двух сред ( например, диэлектрик — металл), установление различных видов поляризации вещества.
 [3]

Перенос электрических зарядов внутри электролита или между электролитом и электродами происходит только путем движения ионов или их выделения на электродах.
 [4]

Перенос электрического заряда осуществляется, разумеется, электронами проводимости. Перенос же тепла осуществляется как электронами, так и фононами. Кроме того, при низких температурах электронная теплоемкость значительно больше фо-нонной.
 [5]

Перенос электрических зарядов в таких полупроводниках при воздействии электрического поля осуществляется электронами и дырками.
 [6]

Перенос электрического заряда в жидких металлах осуществляется свободными электронами таким же путем, как и в твердых металлических проводниках. Подтверждением однотипности этого механизма в твердых и жидких металлах служит отсутствие скачка на кривой электропроводности в области температур перехода металла из твердого состояния в жидкое. Сопротивление жидких металлических проводников, как и твердых, увеличивается с повышением температуры.
 [7]

Перенос электрических зарядов в полимерах осуществляется ионами, отдельными заряженными макромолекулами или их ассоциатами ( так называемыми моль нонами) и электронами.
 [8]

Перенос электрического заряда в металлах осуществляется в основном валентными электронами.
 [9]

Перенос электрического заряда в металлах осуществляется в основном свободными электронами.
 [10]

Перенос электрического заряда осуществляется, разумеется, электронами проводимости. Перенос же тепла осуществляется как электронами, так и фононами. Кроме того, при низких температурах электронная теплоемкость значительно больше фононной.
 [11]

Перенос электрического заряда в водных растворах может происходить не только за счет диффузии или миграции ионов, но, как было отмечено Левичем [164] в соответствии с идеей Фрумкина, также за счет электронного переноса в случае, если раствор содержит окислительно-восстановительную систему. При этом, кроме перемещения целых ионов, электроны могут передаваться от восстановленных частиц к окисленным; этот процесс эквивалентен переносу электрического заряда без перемещения самих ионов. В случае постоянной во всех точках системы концентрации этот перенос не имеет преимущественного направления и макроскопического переноса заряда не происходит. Если, однако, в растворе имеют место химический или электрический градиенты и поэтому концентрация окисленных или восстановленных частиц в растворе не постоянна, а изменяется от точки к точке, то электронный перенос становится ориентированным и зависящим от концентрационного градиента. Таким образом, возникает макроскопический перенос заряда, который дает добавочный вклад к переносу, обусловленному перемещением самих ионов.
 [12]

Перенос электрических зарядов в конечном итоге не обнаруживается. Вследствие такой строгой связи потоков противоионов между собой кинетические свойства системы могут быть рассчитаны только из одного уравнения потока для ионов А или В.
 [13]

Поскольку перенос электрического заряда между фазами электрода и раствора совершается на поверхности электрода, необходимо учитывать структуру и свойства прилегающей к его поверхности области. Результатом этого является образование на границе раздела сложного поверхностного слоя, состоящего из противоположно заряженных частиц, который обычно называют двойным электрическим слоем.
 [14]

Страницы:  

   1

   2

   3

   4

Понравилась статья? Поделить с друзьями:
  • Как найти врачей военкомата
  • Как найти номер телефона по последним цифрам
  • Как найти сканирование на ноутбуке
  • Как найти изменение энергии атома водорода
  • Как найти диагональ квадрата зная одну сторону